[实用新型]一种碳化硅肖特基二极管有效
| 申请号： | 201820251293.4 | 申请日： | 2018-02-12 |
| 公开（公告）号： | CN207947287U | 公开（公告）日： | 2018-10-09 |
| 发明（设计）人： | 陈彤 | 申请（专利权）人： | 泰科天润半导体科技(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L21/329;H01L29/24 |
| 代理公司： | 福州市鼓楼区京华专利事务所(普通合伙) 35212 | 代理人： | 林晓琴 |
| 地址： | 100000 北京市海淀区西小口路66号中关村东升科技园*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 肖特基二极管 阳极金属 碳化硅 突起部 复数 本实用新型 从上到下 导通电阻 沟槽结构 降低器件 阳极接触 依次设置 阴极金属 阻断电压 衬底 匹配 穿过 侧面 保证 | ||
【权利要求书】：
1.一种碳化硅肖特基二极管，其特征在于：包括从上到下依次设置的阳极金属、p型外延层、n型漂移层、n+衬底以及阴极金属，所述p型外延层上设有复数个沟槽，所述沟槽穿过所述p型外延层，所述阳极金属一侧面设有复数个突起部，所述突起部与所述沟槽相匹配。
2.如权利要求1所述的一种碳化硅肖特基二极管，其特征在于：所述n型漂移层的厚度为5um至200um，掺杂浓度为1×1014cm-3至1×1016cm-3。
3.如权利要求1所述的一种碳化硅肖特基二极管，其特征在于：所述p型外延层的厚度为0.3um至1.5um，掺杂浓度大于等于1×1018cm-3。
4.如权利要求1所述的一种碳化硅肖特基二极管，其特征在于：所述沟槽的宽度为1um至8um，所述沟槽的深度大于所述p型外延层的厚度。
5.如权利要求1所述的一种碳化硅肖特基二极管，其特征在于：所述沟槽的深度为0.8um至3um。
6.如权利要求1所述的一种碳化硅肖特基二极管，其特征在于：所述阳极金属为Al或Ti，阴极金属为Ni。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于泰科天润半导体科技(北京)有限公司，未经泰科天润半导体科技(北京)有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201820251293.4/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种肖特基二极管
- 下一篇：红外探测像素结构以及红外探测器
- 同类专利
- 专利分类
