[实用新型]磁传感器

说明书

本实用新型提供一种磁传感器，缓和在绝缘层与磁性体层之间所产生的应力从而使得磁传感器的特性稳定。具备磁阻元件、绝缘层(12)和磁性体层(13)。绝缘层(12)覆盖磁阻元件。磁性体层(13)位于绝缘层(12)上，从与绝缘层(12)正交的方向观察而覆盖磁阻元件的至少一部分。在绝缘层(12)中至少与磁性体层(13)相接的部分包含树脂。

技术领域

本实用新型涉及磁传感器。

背景技术

作为公开了磁传感器的构成的在先文献，存在JP特开2013-44641号公报(专利文献1)。专利文献1中记载的磁传感器具备传感器电路部。传感器电路部具备第1串联电路和第2串联电路。在第1串联电路中，第1磁阻元件与第3磁阻元件被串联连接。在第2串联电路中，第2磁阻元件与第4磁阻元件被串联连接。传感器电路部由第1串联电路与第2串联电路被并联连接而得到的桥电路构成。

第1磁阻元件、第2磁阻元件、第3磁阻元件以及第4磁阻元件各自的表面被绝缘层覆盖。在第3磁阻元件以及第4磁阻元件各自的表面上，夹着绝缘层而形成有由磁性材料构成的磁性体层。

在先技术文献

专利文献

专利文献1：JP特开2013-44641号公报

实用新型内容

由于绝缘层的热膨胀系数与磁性体层的热膨胀系数的差异，有时在绝缘层与磁性体层之间产生应力。在该应力被负荷于磁阻元件的情况下，由于磁阻元件的磁致伸缩而磁传感器的磁特性发生变化。此外，由于磁传感器的周围的温度变化而负荷于磁阻元件的应力值发生变化，由此磁传感器的温度特性劣化，磁传感器的可靠性下降。进而，由于绝缘层与磁性体层之间所产生的应力而在绝缘层产生了裂纹的情况下，磁传感器的耐久性下降。

本实用新型是鉴于上述问题而提出的，其目的在于，提供一种缓和绝缘层与磁性体层之间所产生的应力从而具有稳定的特性的磁传感器。

基于本实用新型的磁传感器具备磁阻元件、绝缘层和磁性体层。绝缘层覆盖磁阻元件。磁性体层位于绝缘层上，从与绝缘层正交的方向观察而覆盖磁阻元件的至少一部分。绝缘层中至少与磁性体层相接的部分包含树脂。

在本实用新型的一方式中，绝缘层包含：由无机物构成的第1层、和位于第1层上并包含树脂的第2层。在磁阻元件与磁性体层之间，第1层与磁阻元件相接而覆盖磁阻元件，第2层与磁性体层相接。

在本实用新型的一方式中，上述树脂是聚酰亚胺树脂或者环氧树脂。

在本实用新型的一方式中，上述无机物包含硅。

根据本实用新型，能够缓和在绝缘层与磁性体层之间所产生的应力从而使得磁传感器的特性变得稳定。

附图说明

图1是表示本实用新型的实施方式1所涉及的磁传感器的构成的俯视图。

图2是从II-II线箭头方向观察图1的磁传感器的剖视图。

图3是表示本实用新型的实施方式2所涉及的磁传感器的构成的剖视图。

图4是表示本实用新型的实施方式2的变形例所涉及的磁传感器的构成的剖视图。

图5是表示比较例所涉及的磁传感器的构成的剖视图。

图6是表示在比较例所涉及的磁传感器中因负荷于磁阻元件的应力的大小而引起的磁传感器的磁特性的变化的图表。

图7是表示由于磁传感器的周围的温度变化而负荷于磁阻元件的应力值发生了变化时的磁传感器的磁灵敏度的偏差的图表。

图8是表示在比较例所涉及的磁传感器中由于在绝缘层与磁性体层之间所产生的应力而在绝缘层产生了裂纹的状态的部分剖视图。