[实用新型]磁传感器有效
| 申请号： | 201820241745.0 | 申请日： | 2018-02-09 |
| 公开（公告）号： | CN208283536U | 公开（公告）日： | 2018-12-25 |
| 发明（设计）人： | 伊藤吉博 | 申请（专利权）人： | 株式会社村田制作所 |
| 主分类号： | G01R33/09 | 分类号： | G01R33/09 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 王晖 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 绝缘层 磁性体层 磁传感器 磁阻元件 本实用新型 方向观察 正交的 树脂 覆盖 缓和 | ||
【权利要求书】：
1.一种磁传感器，其特征在于，具备：
磁阻元件；
绝缘层，覆盖所述磁阻元件；和
磁性体层，位于所述绝缘层上，从与所述绝缘层正交的方向观察而覆盖所述磁阻元件的至少一部分，
所述绝缘层中至少与所述磁性体层相接的部分包含树脂。
2.根据权利要求1所述的磁传感器，其特征在于，
所述绝缘层包含：由无机物构成的第1层、位于该第1层上并包含树脂的第2层，
在所述磁阻元件与所述磁性体层之间，所述第1层与所述磁阻元件相接而覆盖所述磁阻元件，所述第2层与所述磁性体层相接。
3.根据权利要求1或2所述的磁传感器，其特征在于，
所述树脂是聚酰亚胺树脂或者环氧树脂。
4.根据权利要求2所述的磁传感器，其特征在于，
所述无机物包含硅。
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