[实用新型]一种增加IGBT驱动电流的电路

说明书

本实用新型公开了一种增加IGBT驱动电流的电路，其中电阻R1的一端、快恢复二极管D1的正极和快恢复二极管D2的负极均接于高频脉冲交流输入端G1，电阻R1的另一端、三极管Q1的基极、三极管Q2的基极三者连接在一起，三极管Q1的集电极、快恢复二极管D1的负极、滤波电容C1的一端、电解电容E1的正极连接在一起，三极管Q2的集电极、快恢复二极管D2的正极、滤波电容C2的一端、电解电容E2的负极连接在一起，三极管Q1的发射极和三极管Q2的发射极连接在一起。本实用新型的有益之处在于：不但能够稳定可靠的驱动大电流、高频率IGBT，而且电路结构简洁，便于生产制造，同时也降低了生产成本。

技术领域

本实用新型涉及一种电路，具体涉及一种增加IGBT驱动电流的电路，属于电学技术领域。

背景技术

在大功率高频开关电源行业，IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极型晶体管)作为关键逆变器件已被广泛使用，IGBT驱动电流的大小直接影响驱动的功率和开关的频率，因此，通过IGBT前端驱动电路的设计，提高IGBT驱动电流有待研发。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种增加IGBT驱动电流的电路。

为了实现上述目标，本实用新型采用如下的技术方案：

一种增加IGBT驱动电流的电路，其特征在于，由三极管Q1、三极管Q2、快恢复二极管D1、快恢复二极管D2、快恢复二极管D3、稳压管D4、稳压管D5、电解电容E1、电解电容E2、滤波电容C1、滤波电容C2、滤波电容C4、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5和功率管IGBT组成，其中，

电解电容E1和滤波电容C1并联，电解电容E2和滤波电容C2并联，电阻R3的一端和快恢复二极管D3的正极串联后与电阻R2、电阻R5分别并联，稳压管D4的正极和稳压管D5的正极二者连接；

电阻R1的一端、快恢复二极管D1的正极和快恢复二极管D2的负极均接于高频脉冲交流输入端G1，电阻R1的另一端、三极管Q1的基极、三极管Q2的基极三者连接在一起，三极管Q1的集电极、快恢复二极管D1的负极、滤波电容C1的一端、电解电容E1的正极连接在一起，三极管Q2的集电极、快恢复二极管D2的正极、滤波电容C2的一端、电解电容E2的负极连接在一起，三极管Q1的发射极和三极管Q2的发射极连接在一起；

电阻R2的一端、电阻R5的一端、快恢复二极管D3的负极、三极管Q1的发射极和三极管Q2的发射极连接在一起，电阻R2的另一端、电阻R5的另一端、电阻R3另的一端、稳压管D5的负极与输出端G连接在一起；

电解电容E1的负极、滤波电容C1的另一端、电解电容E2的正极、滤波电容C2的另一端、稳压管D4的负极连接在共同的高频脉冲交流输入端E。

上述稳压管D4和稳压管D5串联后与滤波电容C4、电阻R4分别并联。

上述滤波电容C4一端、电阻R4一端、功率管IGBT的控制极连接在G端，滤波电容C4另一端、电阻R4另一端、功率管IGBT的发射极连接在高频脉冲交流输入端E。

本实用新型的有益之处在于：

1、三极管Q1、三极管Q2分别配合快恢复二极管、滤波电容C1、电解电容E2、滤波电容C2、电解电容E1共同组成储能、驱动、滤波及电流放大电流，同时结合输出端的RC滤波、稳压管，进一步提高输出端电流的稳定性，所以能够稳定可靠的驱动大电流、高频率的IGBT；

2、电路结构简洁，便于生产制造，同时也降低了生产成本。

附图说明

图1是本实用新型一种增加IGBT驱动电流的电路的结构图。

具体实施方式