[实用新型]一种具有搅拌功能的半导体清洗反应槽

说明书

本实用新型公开了一种具有搅拌功能的半导体清洗反应槽，包括反应槽、镂空隔板以及双叶片组件，所述反应槽内壁四角设置有凸块，所述凸块上活动设置有镂空隔板，所述镂空隔板中开设有通液孔，且镂空隔板两侧开设有插杆孔；所述双叶片组件，包括连接块、叶片、立杆以及Y型杆，所述连接块两侧固定有叶片，所述叶片活动设置于凸块远离镂空隔板一侧，所述立杆与Y型杆固定连接，且所述Y型杆通过插杆孔固定连接于叶片上。本实用新型可有效避免晶片篮静止过程中的反应速率不均匀和提拉晶片篮过程中产生碰撞过程，从而保证了清洗过程中的清洗效果和成品率。

技术领域

本实用新型涉及半导体清洗技术领域，具体为一种具有搅拌功能的半导体清洗反应槽。

背景技术

晶片清洗是半导体晶片工艺加工中最常使用的工艺步骤。晶片清洗的主要作用包括：获得清洁的晶片表面(如去除附着在晶片表面的原子、离子、分子、有机沾污或颗粒)、晶片抛光和晶片定向腐蚀。晶片清洗过程中，晶片表面的溶液浓度不断降低，反应速率将逐渐下降，从而严重影响清洗工艺的质量。为确保晶片清洗的质量，需要使反应槽中的溶液处于不断流动的状态，从而带动晶片表面溶液的流动，补充反应液浓度的消耗，获得一致的反应过程。

半导体工业生产中一般采用氮气鼓泡的方法使反应槽中反应液产生流动，即在反应槽底部连接氮气，如申请号为“201420054925.X”的一种太阳能电池片的清洗槽，通过气动开关开启和关闭氮气(一般向反应槽中通氮气的孔为4个)，使反应槽中反应液体产生自下而上的搅动。与工业生产时的大批量生产过程不同，实验过程中清洗的晶片数量很少，且多数清洗过程的时间为20分钟左右，所以采用氮气鼓泡的方法清洗晶片将会使晶片清洗的成本大大增加。

一般实验过程采用的是人工转动清洗晶片篮的方式实现液体的流动。由于放置于晶片篮中的晶片是垂直放置于清洗反应槽中，如说明书附图1所示，晶片和晶片篮之间间距很小(常为2-3mm)，所以，最有效的晶片篮运动方式应为沿平行于硅片表面的两个垂直方向，即沿Y向上下运动和沿X向横向运动。一般实验用的原清洗槽与晶片篮的间隙L2很小，所以一般采用两种方式进行晶片的清洗，即晶片篮静止放置或手动上下提拉晶片篮，静止放置晶片篮，会造成反应速率不均匀，而上下提拉晶片篮需要清洗槽在Y方向具有足够的深度，即L1应足够大(提拉时L1应大于50mm)。

采用提拉晶片篮上下运动的方式或晶片篮静止的方式清洗过程存在的缺点包括：

1、运动距离很难控制：晶片篮的向上运动可导致硅片从清洗液中露出，晶片篮向下运动易于产生晶片篮、清洗槽和晶片之间发生机械碰撞，从而晶片清洗过程中，特别是导致超薄晶片清洗过程的成品率降低；

2、液体流动的方向和速度很难控制：上下提拉晶片篮过程中，提拉晶片篮的速度、晶片篮缝隙和晶片码放方向，共同决定了清洗液的流动速度和方向。由于提拉晶片篮的过程很难做到匀速运动，且很难保持晶片表面一直处于垂直状态，所以晶片不可避免地承受很大的应力，从而易于导致晶片的破损，造成晶片清洗过程中成品率的降低；

3、晶片篮静止会造成晶片表面反应不均匀：且清洗掉的沾污物质，很可能重新附着到硅片表面，产生二次沾污的问题。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种具有搅拌功能的半导体清洗反应槽，以解决上述背景技术中提出的问题，实现清洗液流动、节约清洗液、可保证清洗效果的目的。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：

一种具有搅拌功能的半导体清洗反应槽，包括反应槽、镂空隔板以及双叶片组件，所述反应槽内壁四角设置有凸块，所述凸块上活动设置有镂空隔板，所述镂空隔板中开设有通液孔，且镂空隔板两侧开设有插杆孔；

所述双叶片组件，包括连接块、叶片、立杆以及Y型杆，所述连接块两侧固定有叶片，所述叶片活动设置于凸块远离镂空隔板一侧，所述立杆与Y型杆固定连接，且所述Y型杆通过插杆孔固定连接于叶片上。