[实用新型]一种氢化物气相外延反应镓舟结构有效
申请号: | 201820091707.1 | 申请日: | 2018-01-19 |
公开(公告)号: | CN207877925U | 公开(公告)日: | 2018-09-18 |
发明(设计)人: | 李成明;黄业;刘鹏;张国义 | 申请(专利权)人: | 东莞市中镓半导体科技有限公司 |
主分类号: | C30B25/14 | 分类号: | C30B25/14;C30B29/40 |
代理公司: | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人: | 罗晓林;杨桂洋 |
地址: | 523000 广*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 镓源 导流壁 盛放部 导流体 氢化物气相外延 本实用新型 液面 进气口 氯化氢气体 表面气体 流通通道 气体导流 气体发生 出气口 氯化镓 侧壁 交错 流动 | ||
本实用新型公开了一种氢化物气相外延反应镓舟结构,包括镓源盛放部,所述镓源盛放部内设有导流壁,该导流壁与镓源盛放部的侧壁之间形成有进气口和出气口,导流壁位于镓源盛放部内的液面上方,所述导流壁与镓源盛放部内的液面之间设有导流体,导流壁与导流体之间具有通道,导流体与镓源盛放部内的液面之间具有流通通道。本实用新型利用导流壁和导流体对气体导流,实现镓源表面气体与远离镓源部位的气体发生交错流动,提高氯化氢气体生成氯化镓的转化率。
技术领域
本实用新型涉及一种氢化物气相外延反应镓舟结构。
背景技术
氮化镓作为典型的第三代半导体代表材料之一,在光照明器件以及极端环境下应用的电子学器件等领域都具有广泛应用,尤其是紫外光LED,如365nm及395nm等波长的LED在固化、印刷以及曝光等领域都具有重要应用,但是其应用深度与广度严重受到紫外光电子器件性能的制约,一个严重影响氮化镓光电子器件性能的重要因素就是同质外延,根源就是目前缺少同质外延衬底,为此,发展同质外延衬底,成为当前学术界的热点。目前已有的单晶生长、氨热法等众多工艺中,氢化物气相外延(HVPE)有望成为主要方法。
氢化物气相外延的原理就是利用氯化氢与液体镓源反应生成氯化镓,氯化镓在载气的带动下流动到衬底表面,与氨气发生表面化学反应生成氮化镓。在整个反应过程中,氯化氢与镓源反应生成氯化镓是重要的一个环节,镓舟内的流场和温度场,对于氯化镓转化生成率,具有重要影响,如何使镓源和氯化氢气体可以更加有效接触,生成氯化镓是一个重要问题。
实用新型内容
本实用新型要解决的技术问题是提供一种氢化物气相外延反应镓舟结构,利用导流壁和导流体对气体导流,实现镓源表面气体与远离镓源部位的气体发生交错流动,提高氯化氢气体生成氯化镓的转化率。
为了解决上述技术问题,本实用新型采取以下技术方案:
一种氢化物气相外延反应镓舟结构,包括镓源盛放部,所述镓源盛放部内设有导流壁,该导流壁与镓源盛放部的侧壁之间形成有进气口和出气口,导流壁位于镓源盛放部内的液面上方。
所述导流壁与镓源盛放部内的液面之间设有导流体,导流壁与导流体之间具有通道,导流体与镓源盛放部内的液面之间具有流通通道。
所述导流壁为直线型、规则曲线型或者不规则曲线型结构。
所述导流体呈规则形状或者不规则形状。
所述导流壁与导流体位于镓源盛放部的相同位置或者不同位置。
所述导流壁和导流体位于镓源盛放部的中心位置或者边缘位置。
所述导流壁、导流体以及镓源盛放部的制备材料相同或不同。
所述导流壁与导流体的表面可以为光面或毛面。
本实用新型舍弃传统的单纯加长气体流通管路的结构方式,而是通过设置导流壁和导流体,使气体在经过导流壁和导流体时中上下起伏,使已经反应过的气体与尚未发生反应的气体交换位置,使未参与反应的气体有更多的机会与液体镓源发生反应,从而提高液体镓源与氯化氢气体的反应机会,提高转化率。
附图说明
附图1为本实用新型实施例一的剖开示意图;
附图2为本实用新型实施例二的剖开示意图。
具体实施方式
为能进一步了解本实用新型的特征、技术手段以及所达到的具体目的、功能,下面结合附图与具体实施方式对本实用新型作进一步详细描述。
实施例一
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