[发明专利]一种量子点发光二极管及其制备方法

权利要求书

1.一种量子点发光二极管，包括阴极、阳极以及设置在所述阴极和阳极之间的量子点发光层，所述阴极和量子点发光层之间还设置有电子传输层，其特征在于，所述电子传输层材料为通过螯合剂交联在一起的纳米金属氧化物，所述螯合剂含有至少三个羧基官能团，通过所述螯合剂上的羧基官能团形成羧酸根离子，以将相邻的纳米金属氧化物交联起来。

2.根据权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述螯合剂含有3-5个羧基官能团。

3.根据权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述螯合剂选自1,4,7,10-四氮杂环十二烷-1,4,7,10-四羧酸、1,4,7-三氮杂-环壬烷-N,N′,N″-三乙酸、1,4,8,11-四氮杂环十四烷-1,4,8,11-四乙酸和1,4,7-三氮杂环壬烷-1-戊二酸-4,7-二乙酸中的一种或多种。

4.根据权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述纳米金属氧化物选自ZnO、NiO、W₂O₃、Mo₂O₃、TiO₂、SnO、ZrO₂和Ta₂O₃中的一种或多种。

5.一种量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，包括步骤：

提供一阳极基板，在所述阳极基板上制备量子点发光层，在所述量子点发光层上制备电子传输层，在所述电子传输层上制备阴极，制得所述量子点发光二极管；

或者，提供一阴极基板，在所述阴极基板上制备电子传输层，在所述电子传输层上制备量子点发光层，在所述量子点发光层上制备阳极，制得所述量子点发光二极管；

其中，所述电子传输层材料为通过螯合剂交联在一起的纳米金属氧化物，所述螯合剂含有至少三个羧基官能团，通过所述螯合剂上的羧基官能团形成羧酸根离子，以将相邻的纳米金属氧化物交联起来。

6.根据权利要求5所述量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，在所述量子点发光层上制备电子传输层的步骤包括：

在所述量子点发光层上沉积纳米金属氧化物溶液形成膜层，将所述膜层浸泡在螯合剂溶液中，制得所述电子传输层；

或者，在所述阴极基板上制备电子传输层的步骤包括：

在所述阴极基板上沉积纳米金属氧化物溶液形成膜层，将所述膜层浸泡在螯合剂溶液中，制得所述电子传输层。

7.根据权利要求5所述量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，在所述量子点发光层上制备电子传输层的步骤包括：

在所述量子点发光层上沉积纳米金属氧化物溶液形成子膜层，将所述子膜层浸泡在螯合剂溶液中，继续在所述子膜层上沉积又一子膜层，将所述又一子膜层浸泡在螯合剂溶液中，重复上述步骤若干次至按预定厚度在倒数第二层子膜层沉积最后一层子膜层，制得所述电子传输层；

或者，在所述阴极基板上制备电子传输层的步骤包括：

在所述阴极基板上沉积纳米金属氧化物溶液形成子膜层，将所述子膜层浸泡在螯合剂溶液中，继续在所述子膜层上沉积又一子膜层，将所述又一子膜层浸泡在螯合剂溶液中，重复上述步骤若干次至按预定厚度在倒数第二层子膜层沉积最后一层子膜层，制得所述电子传输层。

8.根据权利要求6-7任一所述量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，所述螯合剂溶液的制备方法包括步骤：

将所述螯合剂分散在极性溶剂中，制得螯合剂溶液，所述螯合剂溶液的浓度为0.1wt％-10wt％；和/或，

所述螯合剂选自1,4,7,10-四氮杂环十二烷-1,4,7,10-四羧酸、1,4,7-三氮杂-环壬烷-N,N′,N″-三乙酸、1,4,8,11-四氮杂环十四烷-1,4,8,11-四乙酸和1,4,7-三氮杂环壬烷-1-戊二酸-4,7-二乙酸中的一种或多种。

9.根据权利要求8所述量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，所述极性溶剂选自甲醇、乙醇和环己烷中的一种或多种。

10.根据权利要求7所述量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，所述每个子膜层的厚度为10-30nm。