[发明专利]量子点发光二极管及其制备方法

权利要求书

1.一种量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供量子点发光二极管半成品结构；

将所述量子点发光二极管半成品结构置于含有无机酸、有机羧酸或有机碱中的任一种的溶液中进行浸泡处理,将所述量子点发光二极管半成品中功能层和像素边界上多余的膜层材料刻蚀去除；

所述量子点发光二极管半成品结构为叠层结构，所述叠层结构的一个表层为电极，另一表层为电子传输层；

所述无机酸、有机羧酸或有机碱在所述溶液中的质量分数为0.0001％-1％。

2.如权利要求1所述的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，

当制备的所述量子点发光二极管为正型器件时，所述量子点发光二极管半成品结构一个表层为阳极，另一表层为电子传输层，在所述阳极和电子传输层之间设置量子点发光层；

当制备的所述量子点发光二极管为反型器件时，所述量子点发光二极管半成品结构一个表层为阴极，另一表层为电子传输层。

3.如权利要求1所述的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，所述无机酸选自氢氟酸、氯化氢、硫化氢和次氯酸中的至少一种；和/或，

所述有机羧酸选自碳原子数为3-5的饱和羧酸或不饱和羧酸中的至少一种；和/或，

所述有机碱选自乙醇胺、四甲基氢氧化铵、苯胺和三乙醇胺中的至少一种。

4.如权利要求1所述的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，所述溶液的溶剂选自碳原子数不大于20个的烷烃、碳原子数不大于20个的环烷烃、碳原子数不大于20个的酯类及酯类衍生物、直链碳原子数不大于20个的烯烃和直链碳原子数不大于20个的硫醇中的至少一种。

5.如权利要求4所述的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，所述酯类为乙酸乙酯、异丁酸乙酯、正丁酸异丙酯；所述酯类衍生物为苯甲酸乙酯扁桃酸乙酯、乙酸苄酯、肉豆蔻酸异丙酯。

6.如权利要求1所述的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，将所述量子点发光二极管半成品结构置于含有无机酸、有机羧酸或有机碱中的任一种的溶液中进行浸泡处理的同时进行超声处理。

7.如权利要求1所述的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，将所述量子点发光二极管半成品结构置于含有无机酸、有机羧酸或有机碱中的任一种的溶液中进行浸泡处理的温度条件为10℃-60℃。

8.如权利要求1所述的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，将所述量子点发光二极管半成品结构置于含有无机酸、有机羧酸或有机碱中的任一种的溶液中进行浸泡处理的时间为1min-30min。

9.如权利要求2所述的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，当制备的量子点发光二极管半成品结构为正型QLED器件时，将所述量子点发光二极管半成品结构置于含有无机酸、有机羧酸或有机碱中的任一种的溶液中进行浸泡处理后，还包括设置阴极的步骤；

当制备的量子点发光二极管半成品结构为反型QLED器件时，将所述量子点发光二极管半成品结构置于含有无机酸、有机羧酸或有机碱中的任一种的溶液中进行浸泡处理后，还包括设置量子点发光层和设置阳极的步骤。