[发明专利]具有再生长触点的半导体装置和制作方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，其包括：

半导体衬底，其包含上表面和沟道；

第一电介质层，其安置在所述半导体衬底的所述上表面上方；以及

再生长触点，其形成于所述半导体衬底上方和内部，所述再生长触点包括：

第一开口，其形成于所述第一电介质层中；

再生长区，其形成于所述第一开口内并且电联接到所述沟道；

悬突区，其联接到所述再生长区并且形成于所述第一电介质层上方、在所述第一开口附近；以及

导电帽盖，其形成于所述再生长区和所述悬突区上方。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，其进一步包括安置在所述半导体衬底与所述第一电介质层之间的第二电介质层，其中，所述再生长区延伸穿过所述第二电介质层中的第二开口。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，其进一步包括安置在所述半导体衬底与所述第二电介质层之间的第三电介质层，其中，所述再生长区延伸穿过所述第三电介质层中的第三开口。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述再生长区被配置为一个或多个源极/漏极区。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述导电帽盖不含金。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述再生长触点被配置为形成于所述沟道上方并且电联接到所述沟道的栅电极。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述半导体衬底包括III族氮化物半导体。

8.一种III族氮化物晶体管，其特征在于，其包括：

半导体衬底，其包含III族氮化物层、上表面和沟道；

第一电介质层，其安置在所述半导体衬底的所述上表面上方；

栅电极，其形成于所述半导体衬底上方并且穿过所述第一电介质层；以及

再生长触点，其形成于所述半导体衬底上方和内部，所述再生长触点包括：

第一开口，其形成于所述第一电介质层中；

再生长区，其形成于所述第一开口内并且电联接到所述沟道；

悬突区，其联接到所述再生长区并且形成于所述第一电介质层上方、在所述第一开口附近；

导电帽盖，其形成于所述再生长区和所述悬突区上方；以及

第二电介质层，其被配置为抵抗所述第一电介质层的蚀刻剂的蚀刻停止层，安置在所述半导体衬底与所述第一电介质层之间，其中，所述再生长区延伸穿过所述第二电介质层中的第二开口。

9.一种用于制作半导体装置的方法，其特征在于，所述方法包括：

提供半导体衬底，其包含上表面和沟道；

在所述半导体衬底的所述上表面上方形成第一电介质层；

在所述第一电介质层中形成第一开口；

在所述第一电介质层上方且在所述半导体衬底上方、穿过所述第一开口形成再生长半导体层；

在所述第一开口上方形成导电帽盖；以及

对所述再生长半导体层的外部部分进行蚀刻。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，其进一步包括：在所述半导体衬底的所述上表面上方形成第二电介质层，所述第二电介质层被配置为抵抗所述第一电介质层的蚀刻剂的蚀刻停止；以及在所述第二电介质层中形成第二开口，所述再生长半导体层穿过所述第二开口。