[发明专利]封装薄膜及其制备方法和发光显示装置有效

专利信息
申请号: 201811615764.6 申请日: 2018-12-27
公开(公告)号: CN111384282B 公开(公告)日: 2021-10-01
发明(设计)人: 朱佩;向超宇;罗植天;张滔;李乐 申请(专利权)人: TCL科技集团股份有限公司
主分类号: H01L51/52 分类号: H01L51/52;H01L51/56;B82Y20/00
代理公司: 深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414 代理人: 方良
地址: 516006 广东省惠州市*** 国省代码: 广东;44
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 封装 薄膜 及其 制备 方法 发光 显示装置
【说明书】:

发明属于显示技术领域,具体涉及一种封装薄膜及其制备方法和发光显示装置。所述封装薄膜,包括依次层叠的N层无机薄膜,所述N层无机薄膜中,从第1层无机薄膜到第N层无机薄膜的折射率依次增大,且所述封装薄膜用于封装光电器件时,所述第1层无机薄膜与所述发光器件的顶电极相邻;其中,N为等于或大于2的整数。该封装薄膜用于封装光电器件时,可以在有效防止空气中的水氧进入器件内部的前提下,同时减少器件中发出的光在封装薄膜中的全反射,可以提高器件的发光效率和使用寿命。

技术领域

本发明属于显示技术领域,具体涉及一种封装薄膜及其制备方法和发光显示装置。

背景技术

相对于有机发光染料和无机荧光粉而言,半导体量子点材料作为发光层的量子点发光二极管(QLED)以其优异的光学和器件稳定性等良好的特点使得量子点发光二极管在光电、光伏和生物标记领域具有广泛的应用空间,尤其是在发光二极管方面的应用,量子点发光二极管将会引领显示屏和固态照明行业新一代产品的开发。

尽管通过对量子点材料的改进使得QLED的性能(包括器件效率和寿命)得到了大幅度的提高,但是其出光效率与产业化生产的要求还相差较远。传统的QLED器件包括Al+ITO衬底/PEDOT:PSS/poly-TPD/量子点发光层/ZnO/Mg-Ag合金+封装盖板玻璃层,传统的光电器件封装技术是在水、氧含量低于1ppm的手套箱中完成的。将制作好的器件由手套箱内的线形机械手传入手套箱内。后盖板由调整好程序的自动涂胶机完成UV胶的涂敷,将制作好的光电器件基板与涂好UV胶的后盖板对准贴合,经过UV曝光以后就形成了一个与大气环境隔开的壁障,该壁障能有效防止空气中的水、氧进入光电器件内部,避免了与之发生反应。该封装方法能够成功耦合出QLED外部的比例却不高,从而影响了器件的出光效率。

当前,商用的光电器件的封装技术正从传统的盖板式封装向新型薄膜一体化封装发展。薄膜封装的出现使柔性显示的梦想得以实现,不过现阶段封装寿命和稳定性有待更进一步提高,成本优势也不大,与传统封装相比优势不是十分明显。在典型的平面结构顶发光形式QLED器件内,要达到高照明效率的QLED器件,必须要提升光输出耦合效率,想方设法将局限的光藕合出来。

发明内容

本发明的目的在于克服现有技术的上述不足,提供一种封装薄膜及其制备方法和发光显示装置,旨在解决现有光电器件的封装效果不理想,从而影响器件的出光效率和使用寿命的技术问题。

为实现上述发明目的,本发明采用的技术方案如下:

本发明一方面提供一种封装薄膜,包括依次层叠的N层无机薄膜,所述N层无机薄膜中,从第1层无机薄膜到第N层无机薄膜的折射率依次增大,且所述封装薄膜用于封装光电器件时,所述第1层无机薄膜与所述发光器件的顶电极相邻;其中,N为等于或大于2的整数。

本发明提供的封装薄膜是一种新的封装盖板无机玻璃,用于封装光电器件,所述封装薄膜中具有梯度折射率的多层无机透明薄膜,即封装薄膜中层叠的N层无机薄膜中,从第1层无机薄膜到第N层无机薄膜的折射率依次增大,这样,当该封装薄膜用于封装光电器件时,可以在有效防止空气中的水氧进入器件内部的前提下,同时减少器件中发出的光在封装薄膜中的全反射,从而增加光的导出,最终可以提高器件的发光效率,同时,该封装薄膜相对于传统的盖板封装玻璃具备轻、薄、高效的特点,而且克服了玻璃易碎的缺陷,最终提高了器件的使用寿命。

本发明另一方面提供一种封装薄膜的制备方法,包括如下步骤:

提供基板;

在所述基板上制备封装薄膜;

其中,所述封装薄膜包括依次层叠的N层无机薄膜,所述N层无机薄膜中,从第1层无机薄膜到第N层无机薄膜的折射率依次增大,且所述第1层无机薄膜与所述基板相邻,N为等于或大于2的整数。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于TCL科技集团股份有限公司,未经TCL科技集团股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201811615764.6/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top