[发明专利]摄像装置在审

专利信息
申请号: 201811611505.6 申请日: 2018-12-27
公开(公告)号: CN110098218A 公开(公告)日: 2019-08-06
发明(设计)人: 矶野俊介;仲顺秋男 申请(专利权)人: 松下知识产权经营株式会社
主分类号: H01L27/30 分类号: H01L27/30
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 蒋巍
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 像素区域 周边区域 第一层 绝缘层 第二电极 半导体基板 光电转换层 第一电极 摄像装置 覆盖 上表面 膜剥离 像素
【说明书】:

一种摄像装置,减少膜剥离等不良情况的发生。具备:半导体基板,具有排列有多个像素的像素区域和与像素区域相邻的周边区域;绝缘层,覆盖半导体基板的像素区域及周边区域;第一电极,在像素区域中位于绝缘层上;光电转换层,覆盖第一电极;第二电极,覆盖光电转换层;第一层,覆盖第二电极且在像素区域及周边区域中位于绝缘层上或第二电极上,周边区域中的第一层的厚度大于像素区域中的第一层的厚度,周边区域中的第一层的上表面位于比像素区域中的第一层的上表面靠上方的位置。

技术领域

本发明涉及摄像装置。

背景技术

专利文献1中公开了一种有机膜层叠型的摄像装置。有机膜层叠型的摄像装置在半导体基板上层叠有由有机半导体材料构成的光电转换膜、即所谓的有机膜。

专利文献1:日本专利第5637751号公报

发明内容

在摄像装置中,期望减少膜剥离等不良情况的发生。

根据本发明的一个方式的摄像装置具备:具有排列有多个像素的像素区域和与所述像素区域相邻的周边区域的半导体基板、覆盖所述半导体基板的所述像素区域及所述周边区域的绝缘层、在所述像素区域中位于所述绝缘层上的第一电极、覆盖所述第一电极的光电转换层、覆盖所述光电转换层的第二电极、以及覆盖所述第二电极并在所述像素区域及所述周边区域中位于所述绝缘层上或所述第二电极上的第一层,所述周边区域中的所述第一层的厚度大于所述像素区域中的所述第一层的厚度,所述周边区域中的所述第一层的上表面位于比所述像素区域中的所述第一层的上表面更上方的位置。

另外,本发明的总括性或具体的方式也可以通过元件、器件或装置来实现。另外,本发明的总括性或具体的方式也可以通过元件、器件以及装置的任意组合来实现。根据说明书和附图可知所公开的实施方式的追加的效果以及优点。效果和/或优点通过说明书及附图中公开的各种实施方式或特征而分别被提供,为了得到这些的一个以上的这些效果和/或优点,不需要全部上述特征。

发明的效果

根据本发明,能够减少膜剥离等不良情况的发生。

附图说明

图1是说明实施方式的摄像装置的平面结构的一例的图。

图2是图1的II-II线的概略剖视图。

图3是表示具备本发明的摄像装置的摄像机系统的一例的图。

具体实施方式

(本发明人的见解)

在有机膜层叠型的摄像装置中,光电转换层由有机半导体材料构成。光电转换层通过真空蒸镀形成。在真空蒸镀中,在形成光电转换层的图案的情况下,使用形成光电转换层的位置开口的金属掩模等荫罩。在金属掩模上附着有异物的情况下,在形成光电转换层时,有时该异物被转印到晶片上。

若使用以往的半导体装置的制造中使用的蚀刻、灰化以及药液清洗,则存在光电转换层中的有机半导体材料分解的可能性。因此,难以通过蚀刻、灰化以及药液清洗除去从掩模转印到晶片上的异物。因此,在有机层叠型的摄像装置中,有时在光电转换层以外的区域残留异物。

其结果是,若在摄像装置的表面形成由异物引起的凹凸,则在后续工序中,异物会脱离,有时会产生膜剥离等不良情况。

在专利文献1所记载的摄像装置中,从像素区域到周边区域,在滤色器上形成有外涂层。另外,该像素区域是俯视时光电转换层所位于的区域。另外,在专利文献1所记载的摄像装置中,周边区域的最上面是与像素区域的最上面相同的高度,或者比像素区域的最上面低。在专利文献1的摄像装置中,在周边区域附着有异物的情况下,难以通过外涂层完全覆盖由异物引起的凹凸,使摄像装置的最上面平坦化。即,有时在摄像装置的表面形成由异物引起的凹凸,产生膜剥离等不良情况。

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