[发明专利]一种顶电极图案化有机电致发光器件的制备方法

权利要求书

1.一种顶电极图案化有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，包括：

对ITO导电玻璃进行清洁处理；

在清洁后的ITO导电玻璃表面旋涂光刻胶，使所述光刻胶完全覆盖于所述ITO导电玻璃表面，得到光刻胶处理后的ITO导电玻璃；

对所述光刻胶处理后的ITO导电玻璃进行分块化处理，将所述ITO导电玻璃分成多个ITO导电模块，得到模块化底电极；

在所述模块化底电极上依次蒸镀空穴注入层、空穴传输层、有机发光层、电子传输层和电子注入层；

对每一ITO导电模块的电子注入层上蒸镀图案化金属电极，得到顶电极图案化有机电致发光器件。

2.根据权利要求1所述的顶电极图案化有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述对所述光刻胶处理后的ITO导电玻璃进行分块化处理，具体包括：

对所述光刻胶处理后的ITO导电玻璃进行前烘处理；

在前烘处理后的ITO导电玻璃的上方放置掩模版；所述掩模版包括遮光区和曝光区，所述掩模版的遮光区和曝光区的分布情况根据待分块处理的ITO导电玻璃中各个ITO导电模块的大小和形状确定；

对放置掩模版的ITO导电玻璃进行曝光处理，得到曝光处理后的ITO导电玻璃；

对所述曝光处理后的ITO导电玻璃进行后烘处理；

用显影液去除后烘处理后的ITO导电玻璃曝光区域的光刻胶；

刻蚀曝光区域的ITO，得到刻蚀处理后的ITO导电玻璃；

用丙酮清洗所述刻蚀处理后的ITO导电玻璃遮光区域的光刻胶，得到模块化底电极。

3.根据权利要求2所述的顶电极图案化有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述用显影液去除后烘处理后的ITO导电玻璃曝光区域的光刻胶，具体包括：将所述后烘处理后的ITO导电玻璃置于显影液中浸泡，并对显影液浸泡后的ITO导电玻璃用去离子水冲洗，得到去除曝光部分光刻胶的ITO导电玻璃。

4.根据权利要求2所述的顶电极图案化有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述刻蚀曝光区域的ITO，具体包括：使用王水刻蚀曝光区域的ITO。

5.根据权利要求2所述的顶电极图案化有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述对所述光刻胶处理后的ITO导电玻璃进行分块化处理，还包括：得到所述模块化底电极后，在所述模块化底电极的每个ITO导电模块的ITO边缘印刷导线。

6.根据权利要求1所述的顶电极图案化有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述对每一ITO导电模块的电子注入层上蒸镀图案化金属电极，具体包括：采用图案化的金属掩膜板对每一ITO导电模块的电子注入层上蒸镀图案化金属电极。

7.根据权利要求1所述的顶电极图案化有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述对ITO导电玻璃进行清洁处理，具体包括：

将所述ITO导电玻璃放入洗洁精清洗液中超声清洗90min；

在所述洗洁精清洗液中加入去离子水，继续超声清洗90min；

在所述加入去离子水的洗洁精清洗液中加入丙酮，继续超声清洗90min；

在所述加入丙酮的洗洁精清洗液中加入异丙酮，继续超声清洗90min；

对异丙酮清洗后的ITO导电玻璃进行烤干处理，得到清洁后的ITO导电玻璃。

8.根据权利要求1所述的顶电极图案化有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述ITO导电玻璃的ITO层厚度为140-160nm；所述旋涂后的光刻胶的厚度为190-210nm；所述空穴注入层、空穴传输层、有机发光层、电子传输层和电子注入层的总厚度为90-110nm；所述蒸镀图案化金属电极为铝、银、铜中的一种，所述蒸镀图案化金属电极的厚度为190-210nm。

9.根据权利要求2所述的顶电极图案化有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述前烘处理的温度为125℃，前烘处理时间为90s；所述后烘处理的温度为130℃，后烘处理时间为90s。

10.根据权利要求2所述的顶电极图案化有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，ITO导电玻璃置于显影液中浸泡时间为60s。