[发明专利]阵列基板的制备方法、装置及显示面板

权利要求书

1.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，基于四道光刻制程制造所述阵列基板，所述阵列基板的制备方法包括以下步骤：

在衬底基板上形成栅极、栅极绝缘层、有源层、金属层和光刻胶层；所述有源层包括非晶硅层和掺杂型非晶硅层，所述掺杂型非晶硅层设于所述非晶硅层上；

基于单缝隙掩膜板对所述光刻胶层进行曝光，并图形化所述金属层和所述有源层；

去除沟道区域的光刻胶，以在所述沟道区域内露出所述金属层；

通过第一混合气体对所述金属层进行干蚀刻，以形成所述金属层的源电极和漏电极，并减小在蚀刻所述金属层时产生的临界尺寸偏差值；

通过第二混合气体对所述有源层进行干蚀刻，以去除所述沟道区域内的所述掺杂型非晶硅层，并使所述沟道区域内的所述非晶硅层的层间厚度降低至预设厚度，并形成阵列基板沟道区域的开口宽度为预设宽度，其中，所述预设厚度的范围为175Å-1025 Å，所述预设宽度小于4.5μm；

去除剩余的所述光刻胶层，以形成阵列基板；

所述基于单缝隙掩膜板对所述光刻胶层进行曝光，并图形化所述金属层和所述有源层的步骤包括：

基于所述单缝隙掩膜板对所述光刻胶层进行曝光，以去除曝光区域的光刻胶，并降低半曝光区域的所述光刻胶层的厚度，以形成所述沟道区域；

对所述光刻胶层剩余覆盖范围外的所述金属层进行湿蚀刻；

对所述光刻胶层剩余覆盖范围外的所述有源层进行干蚀刻。

2.如权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述第一混合气体包括六氟化硫气体、三氯化硼气体和氯气。

3.如权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述第二混合气体包括六氟化硫气体、氯气和氦气。

4.如权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述去除沟道区域的光刻胶，以在所述沟道区域内露出所述金属层的步骤包括：

通过灰化工艺除去所述沟道区域的所述光刻胶，以在所述沟道区域内露出所述金属层。

5.如权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述通过干蚀刻图形化所述金属层和所述有源层，形成阵列基板的步骤之后，还包括：

在所述阵列基板上形成包括钝化过孔的钝化层，以及形成通过所述钝化过孔的像素电极。

6.一种阵列基板的制备装置，其特征在于，所述阵列基板的制备装置包括存储器、处理器及存储在所述存储器上并可在所述处理器上运行的阵列基板的制备程序，所述阵列基板的制备程序被所述处理器执行时实现如权利要求1至5中任一项所述的阵列基板的制备方法的步骤。

7.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括阵列基板，所述阵列基板由权利要求1至5中任一项所述的阵列基板的制备方法形成。