[发明专利]薄膜晶体管及其制作方法

说明书

本发明涉及一种薄膜晶体管及其制作方法。该制作方法包括如下步骤：在基板上沉积栅极金属薄膜，通过第一构图工艺，得到栅极的图形；在形成栅极图形的基板上依次沉积栅极绝缘膜、半导体薄膜、掺杂半导体薄膜和源漏极金属薄膜，通过第二构图工艺得到沟道区域和源极、漏极的图形；其中，在掺杂半导体薄膜上沉积源漏极金属薄膜的步骤包括：在掺杂半导体薄膜上依次沉积第一金属钼薄膜、金属铝薄膜和第二金属钼薄膜。解决了在第二次构图工艺中由于源漏极金属薄膜过刻蚀导致掺杂半导体层相对于源漏极金属层具有突出部，降低薄膜晶体管性能的问题。

技术领域

本发明涉及液晶显示技术领域，特别是涉及一种薄膜晶体管及其制作方法。

背景技术

在薄膜晶体管制备工艺中，通常采用4次光刻工艺，其中，在第二次光刻得到沟道区域、源极和漏极图形的过程中，通常要经过两次干法蚀刻和两次湿法蚀刻，由于干法蚀刻和湿法蚀刻的工艺特性不同，刻蚀时容易导致源漏极金属薄膜过刻蚀，使得半导体层和掺杂半导体层相对于源极、漏极的突出部较长，影响了薄膜晶体管的电学性能。

发明内容

本发明要解决的技术问题是提供一种能降低源漏极金属层过刻蚀的薄膜晶体管及其制作方法。

为了实现本发明的目的，本发明采用如下技术方案：

一种薄膜晶体管的制作方法，包括如下步骤：

在基板上沉积栅极金属薄膜，通过第一构图工艺，得到栅极的图形；

在形成所述栅极图形的基板上依次沉积栅极绝缘膜、半导体薄膜、掺杂半导体薄膜和源漏极金属薄膜，通过第二构图工艺得到沟道区域和源极、漏极的图形；

其中，在所述掺杂半导体薄膜上沉积源漏极金属薄膜的步骤包括：在所述掺杂半导体薄膜上依次沉积第一金属钼薄膜、金属铝薄膜和第二金属钼薄膜。

在其中一个实施例中，所述第一金属钼薄膜的厚度为240～260埃，所述金属铝薄膜的厚度为2640～2660埃，所述第二金属钼薄膜的厚度为440～460埃。

在其中一个实施例中，所述得到沟道区域和源极、漏极的图形的步骤包括：

在形成所述栅极图形的基板上沉积栅极绝缘膜；

在所述栅极绝缘膜上依次沉积半导体薄膜、掺杂半导体薄膜和源漏极金属薄膜；

采用半色调掩模板通过所述第二构图工艺对半导体薄膜、掺杂半导体薄膜和源漏极金属薄膜进行处理，得到所述沟道区域和源极、漏极的图形。

在其中一个实施例中，所述采用半色调掩模板通过所述第二构图工艺对半导体薄膜、掺杂半导体薄膜和源漏极金属薄膜进行处理，得到所述沟道区域和源极、漏极的图形的步骤包括：

在所述源漏极金属薄膜上涂抹一层光刻胶；

采用半色调掩模板进行曝光显影处理；

通过刻蚀工艺刻蚀所述光刻胶完全去除区域的源漏极金属薄膜、掺杂半导体薄膜和半导体薄膜，露出栅极绝缘层，及刻蚀掉沟道区域的光刻胶、源漏极金属薄膜和掺杂半导体薄膜，露出半导体层；

剥离剩余的光刻胶，露出该区域的源极、漏极的图形。

在其中一个实施例中，所述通过刻蚀工艺刻蚀所述光刻胶完全去除区域的源漏极金属薄膜、掺杂半导体薄膜和半导体薄膜，露出栅极绝缘层，及刻蚀掉沟道区域的光刻胶、源漏极金属薄膜和掺杂半导体薄膜，露出半导体层的步骤包括：

通过第一次湿刻工艺蚀掉所述光刻胶完全去除区域的源漏极金属薄膜，露出所述掺杂半导体层；

通过第一次干刻工艺蚀掉所述露出的掺杂半导体层、半导体层和沟道区域的光刻胶，露出沟道区域的源漏极金属层；