[发明专利]半导体失效定位测试单元及其失效定位方法有效
| 申请号： | 201811580999.6 | 申请日： | 2018-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN109698138B | 公开（公告）日： | 2021-06-15 |
| 发明（设计）人： | 李金 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L23/522 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 焦天雷 |
| 地址： | 201315 上海市浦东新区中国（上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 失效 定位 测试 单元 及其 方法 | ||
1.一种半导体失效定位测试单元，所述测试单元是位于金属层中的梳折状结构，所述测试单元的键合线划分为第一类键合线和第二类键合线，相邻的第一类键合线之间通过第二类键合线连接，所述第一类键合线的长度大于第二类键合线，其特征在于：所述第一类键合线设置在金属层一中，所述第二类键合线设置在金属层二中，所述金属层一和金属层二是不同的金属层；
其中，执行失效定位测试时，研磨去除第二类键合线，保留相间隔的第一类键合线，利用Nanoprobe探针在comb端加电压，定位到发生短路的某条第一类键合线。
2.如权利要求1所述的半导体失效定位测试单元，其特征在于：所述金属层一和金属层二是相邻的金属层。
3.如权利要求1所述的半导体失效定位测试单元，其特征在于：所述金属层一和金属层二是不相邻的金属层。
4.如权利要求1所述的半导体失效定位测试单元，其特征在于：所述金属层二在金属层一上方。
5.如权利要求1所述的半导体失效定位测试单元，其特征在于：所述第二类键合线通过VIA结构与位于其垂直方向的第一类键合线连接。
6.如权利要求1所述的半导体失效定位测试单元，其特征在于：所述第一类键合线和第二类键合线是同型材质制造。
7.如权利要求6所述的半导体失效定位测试单元，其特征在于：所述第一类键合线和第二类键合线由铜材质制造。
8.如权利要求1所述的半导体失效定位测试单元，其特征在于：所述第一类键合线和第二类键合线是不同型材质制造。
9.一种利用权利要求1-8任意一项所述半导体失效定位测试单元的半导体失效定位方法，其特征在于：通过失效定位分析仪器对所述半导体失效定位测试单元进行失效定位。
10.如权利要求9所述的半导体失效定位方法，其特征在于：所述失效定位分析仪器是EMMI、OBIRCH或Thermal。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
