[发明专利]一种晶圆芯片的切割方法及其划片机

说明书

本发明提供了一种晶圆芯片的切割方法及其划片机，该切割方法具体为，采用红外激光器沿着晶圆芯片的切割预定线进行照射，在所述晶圆芯片表面形成向下凹陷的切割轨道；将砂轮片沿着所述切割轨道进行切割，所述划片机可实现上述切割过程，本发明提供的晶圆芯片的切割方法，具有方法简单，易于操作，而且切割质量好，加工效率高等优点。

技术领域

本发明公开涉及晶圆芯片加工的技术领域，尤其涉及一种晶圆芯片的切割方法及其划片机。

背景技术

晶圆芯片是制造半导体芯片的基本材料，在晶圆芯片上可加工制作成各种电路元件结构，而成为有特定电性功能的IC产品。

目前，晶圆芯片的切割方式主要分为两种，一种是采用金刚石砂轮片进行切割，另一种是采用激光切割。但采用金刚石砂轮片进行切割时，金刚石砂轮片表面突起的锋利、高硬度金刚砂颗粒会对晶圆芯片切割部进行铲挖，该铲挖式机械力直接作用在晶圆芯片表面时，会对晶圆芯片内部造成应力损伤，导致晶圆芯片在切割过程中发生表面和背面崩裂，存在成品率低的问题。由于激光切割是利用经聚焦的高功率密度激光束照射工件，使被照射的材料迅速熔化、汽化、烧蚀或达到燃点，实现将工件割开，虽然可以有效解决晶圆芯片在切割过程中发生崩裂的问题，但激光切割时会产生热影响区，激光的熔渣会导致晶圆芯片表面存在二次污染的问题。

因此，如何研发一种新型的晶圆芯片切割方法，以解决现有切割方法存在的成品率低、晶圆芯片表面遭受二次污染等问题，成为人们亟待解决的问题。

发明内容

鉴于此，本发明提供了一种晶圆芯片的切割方法及其划片机，以至少解决采用技术中，采用砂轮片进行晶圆芯片切割，容易发生崩裂，存在成品率低的问题，以及采用激光切割，由于熔渣的存在，导致二次污染等问题。

本发明一方面提供了一种晶圆芯片的切割方法，该方法包括如下步骤：

1)采用红外激光器沿着晶圆芯片的切割预定线进行照射，在所述晶圆芯片表面形成向下凹陷的切割轨道；

2)将砂轮片沿着所述切割轨道进行切割。

优选，所述红外激光器的波长为200～1064纳米。

进一步优选，所述红外激光器的功率为6～20w。

进一步优选，所述红外激光器照射的光斑直径40um～50um。

进一步优选，所述红外激光器垂直照射于所述晶圆芯片的切割预定线上。

本发明另一方面还提供了一种划片机，该划片机适用于上述的切割方法，包括：基座1、X轴驱动组件2、承载芯片工作台3、Y轴驱动组件4、Z轴驱动组件5、切割装置6以及控制台；

所述基座1用于所述划片机的整体支撑；

所述X轴驱动组件2包括：X轴底座21、X轴导轨22、X轴驱动电机23、X轴联轴节24、X轴丝杠25以及X轴溜板26；

所述X轴底座21固定安装于所述基座1上；

所述X轴导轨22以及X轴驱动电机23均固定安装于所述X轴底座21上；

所述X轴驱动电机23的动力输出端通过所述X轴联轴节24与所述X轴丝杠25驱动连接；

所述X轴溜板26的两侧设置有导轨滑块261，下表面设置有丝套，所述X轴溜板26两侧的导轨滑块261与所述X轴导轨22滑动咬合，所述丝套套装于所述X轴丝杠25的外部；

所述承载芯片工作台3固定安装于所述X轴溜板26上；

所述Y轴驱动组件4包括：Y轴底座、Y轴导轨、Y轴驱动电机、Y轴联轴节、Y轴丝杠以及Y轴溜板；

所述Y轴底座固定安装于所述基座1上，且相对所述X轴底座21垂直设置；