[发明专利]彩色热贴层及其制备方法、太阳能电池芯片及电池组件在审
申请号: | 201811543941.4 | 申请日: | 2018-12-17 |
公开(公告)号: | CN110943135A | 公开(公告)日: | 2020-03-31 |
发明(设计)人: | 朱伟;张继凯;程晓龙 | 申请(专利权)人: | 汉能移动能源控股集团有限公司 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/048;H01L31/18 |
代理公司: | 北京国昊天诚知识产权代理有限公司 11315 | 代理人: | 刘昕;南霆 |
地址: | 100107 北京市朝阳*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 彩色 热贴层 及其 制备 方法 太阳能电池 芯片 电池 组件 | ||
本申请公开了一种彩色热贴层及制备方法、太阳能电池芯片及电池组件;彩色热贴层包括基层、胶层和彩色膜层;胶层设置于基层上;彩色膜层设置于胶层上,且彩色膜层具有多层复合结构。彩色太阳能电池芯片包括彩色热贴层、电路层、贴层;电路层与彩色热贴层的基层贴合;贴层与电路层背离彩色热贴层的一侧贴合;以及基板与贴层背离电路层的一侧贴合。彩色太阳能电池组件包括彩色太阳能电池芯片、背板和透光前板,背板与与基板贴合,透光前板与彩色热贴层贴合。本发明将彩色膜层设置于基层的胶层上,制成彩色热贴层,以及制成彩色太阳能电池芯片,解决了太阳能电池芯片颜色单一的问题。
技术领域
本申请涉及太阳能电池技术领域,尤其涉及彩色热贴层及制备方法、太阳能电池芯片及电池组件。
背景技术
随着煤、石油、天然气等能源日益枯竭和环境污染日益加剧,人们迫切需要寻找清洁可再生新能源。作为地球无限可再生的无污染能源,太阳能的应用日益引起人们的关注,将太阳能转化为电能的太阳能电池的研制得到了迅速发展。目前以商品化的晶体硅太阳能电池的光电转化效率最高,但受材料纯度和制备工艺限制,成本高,很难再提高转化效率或降低成本。薄膜太阳能电池只需几μm的厚度就能实现光电转换,是降低成本和提高光子循环的理想材料。
基于溅射法的太阳能电池芯片因为其轻、柔、薄、弱光发电性等特点,在移动能源产品中的应用越来越广泛,比如消费电子产品、建材产品等,但是传统的太阳能电池芯片由于颜色单一,不能满足消费者日益增长的外观、颜色方面的需求。
发明内容
本申请实施例提供一种彩色热贴层及制备方法、太阳能电池芯片及电池组件,以解决太阳能电池瓦颜色单一的问题。
本申请实施例采用下述技术方案:
第一方面,本申请实施例提供了一种彩色热贴层,包括:
基层;
胶层,所述胶层设置于所述基层上;
彩色膜层,所述彩色膜层设置于所述胶层上,且所述彩色膜层具有多层复合结构。
可选地,上述的彩色热贴层,所述彩色膜层包括:
交替设置的至少一层第一膜层与至少一层第二膜层,其中,所述第一膜层具有第一折射率,所述第二膜层具有第二折射率,所述第一折射率与所述第二折射率不同。
可选地,上述的彩色热贴层,所述第一折射率与所述第二折射率之差不低于0.5。
可选地,上述的彩色热贴层,所述第一膜层为五氧化三钛膜层,所述第二膜层为二氧化硅膜层;由所述基层开始,三层所述第一膜层与三层所述第二膜层交替层叠设置。
可选地,上述的彩色热贴层,由所述基层开始,
第一层所述第一膜层的厚度为103.5nm~108.5nm;
第二层所述第一膜层的厚度为74.5nm~79.5nm;
第三层所述第一膜层的厚度为67nm~72nm;
第一层所述第二膜层的厚度为147nm~152nm;
第二层所述第二膜层的厚度为140nm~145nm;
第三层所述第二膜层的厚度为71.5nm~76.5nm;
所述彩色膜层的总厚度为608.5nm~628.5nm。
可选地,上述的彩色热贴层,由所述基层开始,
第一层所述第一膜层的厚度为90nm~95nm;
第二层所述第一膜层的厚度为64.5nm~69.5nm;
第三层所述第一膜层的厚度为58nm~63nm;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的