[发明专利]彩色热贴层及其制备方法、太阳能电池芯片及电池组件在审
申请号: | 201811543941.4 | 申请日: | 2018-12-17 |
公开(公告)号: | CN110943135A | 公开(公告)日: | 2020-03-31 |
发明(设计)人: | 朱伟;张继凯;程晓龙 | 申请(专利权)人: | 汉能移动能源控股集团有限公司 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/048;H01L31/18 |
代理公司: | 北京国昊天诚知识产权代理有限公司 11315 | 代理人: | 刘昕;南霆 |
地址: | 100107 北京市朝阳*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 彩色 热贴层 及其 制备 方法 太阳能电池 芯片 电池 组件 | ||
1.一种彩色热贴层,其特征在于,包括:
基层;
胶层,所述胶层设置于所述基层上;
彩色膜层,所述彩色膜层设置于所述胶层背离于所述基层的一侧,且所述彩色膜层具有多层复合结构。
2.根据权利要求1所述的彩色热贴层,其特征在于,所述彩色膜层包括:
交替设置的至少一层第一膜层与至少一层第二膜层,其中,所述第一膜层具有第一折射率,所述第二膜层具有第二折射率,所述第一折射率与所述第二折射率不同。
3.根据权利要求2所述的彩色热贴层,其特征在于,所述第一折射率与所述第二折射率之差不低于0.5。
4.根据权利要求2所述的彩色热贴层,其特征在于,所述第一膜层为五氧化三钛膜层,所述第二膜层为二氧化硅膜层;由所述基层开始,三层所述第一膜层与三层所述第二膜层交替层叠设置。
5.根据权利要求4所述的彩色热贴层,其特征在于,由所述基层开始,
第一层所述第一膜层的厚度为103.5nm~108.5nm;
第二层所述第一膜层的厚度为74.5nm~79.5nm;
第三层所述第一膜层的厚度为67nm~72nm;
第一层所述第二膜层的厚度为147nm~152nm;
第二层所述第二膜层的厚度为140nm~145nm;
第三层所述第二膜层的厚度为71.5nm~76.5nm;
所述彩色膜层的总厚度为608.5nm~628.5nm。
6.根据权利要求4所述的彩色热贴层,其特征在于,由所述基层开始,
第一层所述第一膜层的厚度为90nm~95nm;
第二层所述第一膜层的厚度为64.5nm~69.5nm;
第三层所述第一膜层的厚度为58nm~63nm;
第一层所述第二膜层的厚度为129nm~134nm;
第二层所述第二膜层的厚度为122.5nm~127.5nm;
第三层所述第二膜层的厚度为62.5nm~67.5nm;
所述彩色膜层的总厚度为531.5nm~551.5nm。
7.根据权利要求2所述的彩色热贴层,其特征在于,所述第一膜层为五氧化三钛膜层,所述第二膜层为二氧化硅膜层;
由所述基层开始,六层所述第一膜层与六层所述第二膜层交替设置,或者六层所述第二膜层与六层所述第一膜层交替设置。
8.根据权利要求7所述的彩色热贴层,其特征在于,由所述基层开始,
第一层所述第一膜层的厚度为17nm~22nm;
第二层所述第一膜层的厚度为41.5nm~46.5nm;
第三层所述第一膜层的厚度为49nm~54nm;
第四层所述第一膜层的厚度为39.5nm~44.5nm;
第五层所述第一膜层的厚度为40.5nm~45.5nm;
第六层所述第一膜层的厚度为49.5nm~54.5nm;
第一层所述第二膜层的厚度为62.5nm~67.5nm;
第二层所述第二膜层的厚度为54nm~59nm;
第三层所述第二膜层的厚度为52nm~57nm;
第四层所述第二膜层的厚度为57nm~62nm;
第五层所述第二膜层的厚度为77.5nm~82.5nm;
第六层所述第二膜层的厚度为102.5nm~107.5nm;
所述彩色膜层的总厚度为661.5nm~581.5nm。
9.一种彩色太阳能电池芯片,其特征在于,包括:
权利要求1-8中任一项所述的彩色热贴层;
电路层,与所述彩色热贴层的所述基层贴合;
贴层,与所述电路层背离所述彩色热贴层的一侧贴合;以及
基板,与所述贴层背离所述电路层的一侧贴合。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的