[发明专利]彩色热贴层及其制备方法、太阳能电池芯片及电池组件在审

专利信息
申请号: 201811543941.4 申请日: 2018-12-17
公开(公告)号: CN110943135A 公开(公告)日: 2020-03-31
发明(设计)人: 朱伟;张继凯;程晓龙 申请(专利权)人: 汉能移动能源控股集团有限公司
主分类号: H01L31/0216 分类号: H01L31/0216;H01L31/048;H01L31/18
代理公司: 北京国昊天诚知识产权代理有限公司 11315 代理人: 刘昕;南霆
地址: 100107 北京市朝阳*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 彩色 热贴层 及其 制备 方法 太阳能电池 芯片 电池 组件
【权利要求书】:

1.一种彩色热贴层,其特征在于,包括:

基层;

胶层,所述胶层设置于所述基层上;

彩色膜层,所述彩色膜层设置于所述胶层背离于所述基层的一侧,且所述彩色膜层具有多层复合结构。

2.根据权利要求1所述的彩色热贴层,其特征在于,所述彩色膜层包括:

交替设置的至少一层第一膜层与至少一层第二膜层,其中,所述第一膜层具有第一折射率,所述第二膜层具有第二折射率,所述第一折射率与所述第二折射率不同。

3.根据权利要求2所述的彩色热贴层,其特征在于,所述第一折射率与所述第二折射率之差不低于0.5。

4.根据权利要求2所述的彩色热贴层,其特征在于,所述第一膜层为五氧化三钛膜层,所述第二膜层为二氧化硅膜层;由所述基层开始,三层所述第一膜层与三层所述第二膜层交替层叠设置。

5.根据权利要求4所述的彩色热贴层,其特征在于,由所述基层开始,

第一层所述第一膜层的厚度为103.5nm~108.5nm;

第二层所述第一膜层的厚度为74.5nm~79.5nm;

第三层所述第一膜层的厚度为67nm~72nm;

第一层所述第二膜层的厚度为147nm~152nm;

第二层所述第二膜层的厚度为140nm~145nm;

第三层所述第二膜层的厚度为71.5nm~76.5nm;

所述彩色膜层的总厚度为608.5nm~628.5nm。

6.根据权利要求4所述的彩色热贴层,其特征在于,由所述基层开始,

第一层所述第一膜层的厚度为90nm~95nm;

第二层所述第一膜层的厚度为64.5nm~69.5nm;

第三层所述第一膜层的厚度为58nm~63nm;

第一层所述第二膜层的厚度为129nm~134nm;

第二层所述第二膜层的厚度为122.5nm~127.5nm;

第三层所述第二膜层的厚度为62.5nm~67.5nm;

所述彩色膜层的总厚度为531.5nm~551.5nm。

7.根据权利要求2所述的彩色热贴层,其特征在于,所述第一膜层为五氧化三钛膜层,所述第二膜层为二氧化硅膜层;

由所述基层开始,六层所述第一膜层与六层所述第二膜层交替设置,或者六层所述第二膜层与六层所述第一膜层交替设置。

8.根据权利要求7所述的彩色热贴层,其特征在于,由所述基层开始,

第一层所述第一膜层的厚度为17nm~22nm;

第二层所述第一膜层的厚度为41.5nm~46.5nm;

第三层所述第一膜层的厚度为49nm~54nm;

第四层所述第一膜层的厚度为39.5nm~44.5nm;

第五层所述第一膜层的厚度为40.5nm~45.5nm;

第六层所述第一膜层的厚度为49.5nm~54.5nm;

第一层所述第二膜层的厚度为62.5nm~67.5nm;

第二层所述第二膜层的厚度为54nm~59nm;

第三层所述第二膜层的厚度为52nm~57nm;

第四层所述第二膜层的厚度为57nm~62nm;

第五层所述第二膜层的厚度为77.5nm~82.5nm;

第六层所述第二膜层的厚度为102.5nm~107.5nm;

所述彩色膜层的总厚度为661.5nm~581.5nm。

9.一种彩色太阳能电池芯片,其特征在于,包括:

权利要求1-8中任一项所述的彩色热贴层;

电路层,与所述彩色热贴层的所述基层贴合;

贴层,与所述电路层背离所述彩色热贴层的一侧贴合;以及

基板,与所述贴层背离所述电路层的一侧贴合。

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