[发明专利]补偿目标栅极线的电压降的非易失性存储器装置

说明书

提供了一种非易失性存储器装置，所述非易失性存储器装置包括：多条栅极线，在第一方向上延伸且在第二方向上堆叠以形成存储器块，其中，第二方向垂直于第一方向；地址解码器，设置在多条栅极线的第一侧处以驱动多条栅极线；电压补偿线，在第一方向上基本平行于多条栅极线地延伸，并且在第二方向上与多条栅极线之中的目标栅极线叠置；上升竖直接触件，在第二方向上延伸以使地址解码器和电压补偿线的第一部分连接；导电路径，在第二方向上使电压补偿线的第一部分和第二部分与目标栅极线的近端部分和远端部分连接。

本申请要求于2017年12月27日在韩国知识产权局(KIPO)提交的第10-2017-0181344号韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请的公开内容通过引用而全部包含于此。

技术领域

发明构思的示例性实施例总体上涉及半导体集成电路，更具体地，涉及一种用于补偿目标栅极线的电压降的非易失性存储器装置。

背景技术

即使电源关闭，非易失性存储器装置也可以保持存储的数据。虽然易失性存储器装置被广泛用作各种设备的主存储器，但非易失性存储器装置被广泛用于存储各种电子装置(诸如计算机、移动装置等)中的程序代码和/或数据。最近，已经开发出具有三维结构的非易失性存储器装置(诸如垂直NAND存储器装置)以增加集成度和存储容量。由于集成度和存储容量的增加，会增加信号线的负载，并且会降低非易失性存储器装置的操作速度。

发明内容

根据发明构思的示例性实施例，非易失性存储器装置包括：多条栅极线，在第一方向上延伸且在第二方向上堆叠以形成存储器块，其中，第二方向垂直于第一方向；地址解码器，设置在所述多条栅极线的第一侧处以驱动所述多条栅极线；电压补偿线，在第一方向上基本平行于所述多条栅极线地延伸，并且在第二方向上与所述多条栅极线之中的目标栅极线叠置；上升竖直接触件，在第二方向上延伸以使地址解码器和电压补偿线的第一部分连接；近导电路径，在第二方向上使电压补偿线的第一部分和目标栅极线的近端部分连接；以及远导电路径，在第二方向上使电压补偿线的第二部分和目标栅极线的远端部分连接。

根据发明构思的示例性实施例，非易失性存储器装置包括：多条栅极线，在第一方向上延伸且在第二方向上堆叠以形成存储器块，其中，第二方向垂直于第一方向；电压补偿线，用来补偿施加到所述多条栅极线之中的目标栅极线的驱动电压；以及多条导电路径，使电压补偿线和目标栅极线的端部在第二方向上连接。

根据发明构思的示例性实施例，非易失性存储器装置包括：多条栅极线，在第一方向上延伸且在第二方向上堆叠以形成存储器块，其中，第二方向垂直于第一方向；第一电压补偿线，补偿施加到所述多条栅极线之中的第一目标栅极线的驱动电压；第二电压补偿线，补偿施加到所述多条栅极线之中的第二目标栅极线的驱动电压；多条第一导电路径，使第一电压补偿线和第一目标栅极线的端部在第二方向上连接；以及多条第二导电路径，使第二电压补偿线和第二目标栅极线的端部在第二方向上连接。

附图说明

通过参照附图详细地描述发明构思的示例性实施例，将更清楚地理解发明构思的以上和其它特征。

图1是示出根据发明构思的示例性实施例的非易失性存储器装置的电压补偿结构的图。

图2是根据发明构思的示例性实施例的非易失性存储器装置的透视图。

图3是示出根据发明构思的示例性实施例的非易失性存储器装置的框图。

图4是根据发明构思的示例性实施例的非易失性存储器装置的俯视图。

图5是根据发明构思的示例性实施例的沿图4的线I-I'截取的剖视图。

图6是根据发明构思的示例性实施例的沿图4的线II-II'截取的剖视图。

图7是示出根据发明构思的示例性实施例的如参照图4至图6描述的存储器块的等效电路的电路图。