[发明专利]补偿目标栅极线的电压降的非易失性存储器装置在审

专利信息
申请号: 201811540991.7 申请日: 2018-12-17
公开(公告)号: CN109979944A 公开(公告)日: 2019-07-05
发明(设计)人: 朴俊泓;任琫淳 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: H01L27/11568 分类号: H01L27/11568;H01L27/11578;H01L27/11551;H01L27/11521
代理公司: 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 代理人: 田野;尹淑梅
地址: 韩国京畿*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 栅极线 非易失性存储器装置 电压补偿 地址解码器 延伸 存储器块 导电路径 方向垂直 基本平行 电压降 触件 叠置 堆叠 近端 远端 驱动
【权利要求书】:

1.一种非易失性存储器装置,所述非易失性存储器装置包括:

多条栅极线,在第一方向上延伸且在第二方向上堆叠以形成存储器块,其中,第二方向垂直于第一方向;

地址解码器,设置在所述多条栅极线的第一侧处以驱动所述多条栅极线;

电压补偿线,在第一方向上基本平行于所述多条栅极线地延伸,并且在第二方向上与所述多条栅极线之中的目标栅极线叠置;

上升竖直接触件,在第二方向上延伸以使地址解码器和电压补偿线的第一部分连接;

近导电路径,在第二方向上使电压补偿线的第一部分和目标栅极线的近端部分连接;以及

远导电路径,在第二方向上使电压补偿线的第二部分和目标栅极线的远端部分连接。

2.根据权利要求1所述的非易失性存储器装置,其中,目标栅极线由与所述多条栅极线中的其它栅极线的材料不同的材料形成。

3.根据权利要求2所述的非易失性存储器装置,其中,目标栅极线由多晶硅形成,其它栅极线由金属形成。

4.根据权利要求1所述的非易失性存储器装置,其中,目标栅极线的电阻大于所述多条栅极线中的其它栅极线的电阻。

5.根据权利要求1所述的非易失性存储器装置,其中,从电压补偿线的第一部分经由电压补偿线到目标栅极线的远端部分的导电路径的电阻值小于从电压补偿线的第一部分经由目标栅极线到目标栅极线的远端部分的导电路径的电阻值。

6.根据权利要求1所述的非易失性存储器装置,其中,地址解码器设置在关于存储器块的第一边缘部分处,

电压补偿线的第一部分和目标栅极线的近端部分在第二方向上对应于第一边缘部分,

电压补偿线的第二部分和目标栅极线的远端部分在第二方向上对应于关于存储器块的第二边缘部分,

第一边缘部分和第二边缘部分在第一方向上彼此相对。

7.根据权利要求6所述的非易失性存储器装置,其中,电压补偿线设置在所述多条栅极线的第二侧处,

第二侧和第一侧在第二方向上彼此相对。

8.根据权利要求7所述的非易失性存储器装置,其中,近导电路径包括第一下降竖直接触件,第一下降竖直接触件使电压补偿线的第一部分和目标栅极线的近端部分连接,

其中,远导电路径包括第二下降竖直接触件,第二下降竖直接触件使电压补偿线的第二部分和目标栅极线的远端部分连接。

9.根据权利要求6所述的非易失性存储器装置,其中,电压补偿线设置在所述多条栅极线的第一侧处。

10.根据权利要求9所述的非易失性存储器装置,所述非易失性存储器装置还包括:

第一导电线,设置在第一边缘部分处并且设置在所述多条栅极线的第二侧处,其中,第二侧和第一侧在第二方向上彼此相对;以及

第二导电线,设置在第二边缘部分处并且设置在所述多条栅极线的第二侧处,

其中,上升竖直接触件包括:

第一上升竖直接触件,使电压补偿线的第一部分和地址解码器连接;

第二上升竖直接触件,使电压补偿线的第一部分和第一导电线连接;以及

第三上升竖直接触件,使电压补偿线的第二部分和第二导电线连接,

其中,近导电路径包括第一下降竖直接触件,第一下降竖直接触件使第一导电线和目标栅极线的近端部分连接,

其中,远导电路径包括第二下降竖直接触件,第二下降竖直接触件使第二导电线和目标栅极线的远端部分连接。

11.根据权利要求1所述的非易失性存储器装置,其中,地址解码器设置存储器块的在第一方向上的第一边缘部分和第二边缘部分之间的中心部分处,

电压补偿线的第一部分和目标栅极线的近端部分在第二方向上对应于中心部分,

电压补偿线的第二部分和目标栅极线的远端部分在第二方向上对应于第一边缘部分和第二边缘部分。

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