[发明专利]补偿目标栅极线的电压降的非易失性存储器装置在审
申请号: | 201811540991.7 | 申请日: | 2018-12-17 |
公开(公告)号: | CN109979944A | 公开(公告)日: | 2019-07-05 |
发明(设计)人: | 朴俊泓;任琫淳 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L27/11568 | 分类号: | H01L27/11568;H01L27/11578;H01L27/11551;H01L27/11521 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 田野;尹淑梅 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 韩国;KR |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 栅极线 非易失性存储器装置 电压补偿 地址解码器 延伸 存储器块 导电路径 方向垂直 基本平行 电压降 触件 叠置 堆叠 近端 远端 驱动 | ||
1.一种非易失性存储器装置,所述非易失性存储器装置包括:
多条栅极线,在第一方向上延伸且在第二方向上堆叠以形成存储器块,其中,第二方向垂直于第一方向;
地址解码器,设置在所述多条栅极线的第一侧处以驱动所述多条栅极线;
电压补偿线,在第一方向上基本平行于所述多条栅极线地延伸,并且在第二方向上与所述多条栅极线之中的目标栅极线叠置;
上升竖直接触件,在第二方向上延伸以使地址解码器和电压补偿线的第一部分连接;
近导电路径,在第二方向上使电压补偿线的第一部分和目标栅极线的近端部分连接;以及
远导电路径,在第二方向上使电压补偿线的第二部分和目标栅极线的远端部分连接。
2.根据权利要求1所述的非易失性存储器装置,其中,目标栅极线由与所述多条栅极线中的其它栅极线的材料不同的材料形成。
3.根据权利要求2所述的非易失性存储器装置,其中,目标栅极线由多晶硅形成,其它栅极线由金属形成。
4.根据权利要求1所述的非易失性存储器装置,其中,目标栅极线的电阻大于所述多条栅极线中的其它栅极线的电阻。
5.根据权利要求1所述的非易失性存储器装置,其中,从电压补偿线的第一部分经由电压补偿线到目标栅极线的远端部分的导电路径的电阻值小于从电压补偿线的第一部分经由目标栅极线到目标栅极线的远端部分的导电路径的电阻值。
6.根据权利要求1所述的非易失性存储器装置,其中,地址解码器设置在关于存储器块的第一边缘部分处,
电压补偿线的第一部分和目标栅极线的近端部分在第二方向上对应于第一边缘部分,
电压补偿线的第二部分和目标栅极线的远端部分在第二方向上对应于关于存储器块的第二边缘部分,
第一边缘部分和第二边缘部分在第一方向上彼此相对。
7.根据权利要求6所述的非易失性存储器装置,其中,电压补偿线设置在所述多条栅极线的第二侧处,
第二侧和第一侧在第二方向上彼此相对。
8.根据权利要求7所述的非易失性存储器装置,其中,近导电路径包括第一下降竖直接触件,第一下降竖直接触件使电压补偿线的第一部分和目标栅极线的近端部分连接,
其中,远导电路径包括第二下降竖直接触件,第二下降竖直接触件使电压补偿线的第二部分和目标栅极线的远端部分连接。
9.根据权利要求6所述的非易失性存储器装置,其中,电压补偿线设置在所述多条栅极线的第一侧处。
10.根据权利要求9所述的非易失性存储器装置,所述非易失性存储器装置还包括:
第一导电线,设置在第一边缘部分处并且设置在所述多条栅极线的第二侧处,其中,第二侧和第一侧在第二方向上彼此相对;以及
第二导电线,设置在第二边缘部分处并且设置在所述多条栅极线的第二侧处,
其中,上升竖直接触件包括:
第一上升竖直接触件,使电压补偿线的第一部分和地址解码器连接;
第二上升竖直接触件,使电压补偿线的第一部分和第一导电线连接;以及
第三上升竖直接触件,使电压补偿线的第二部分和第二导电线连接,
其中,近导电路径包括第一下降竖直接触件,第一下降竖直接触件使第一导电线和目标栅极线的近端部分连接,
其中,远导电路径包括第二下降竖直接触件,第二下降竖直接触件使第二导电线和目标栅极线的远端部分连接。
11.根据权利要求1所述的非易失性存储器装置,其中,地址解码器设置存储器块的在第一方向上的第一边缘部分和第二边缘部分之间的中心部分处,
电压补偿线的第一部分和目标栅极线的近端部分在第二方向上对应于中心部分,
电压补偿线的第二部分和目标栅极线的远端部分在第二方向上对应于第一边缘部分和第二边缘部分。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社,未经三星电子株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201811540991.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:半导体元件及其制造方法
- 下一篇:薄膜晶体管基板及其制造方法以及液晶显示装置
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的