[发明专利]半导体装置及其制作方法

说明书

本公开涉及一种半导体装置，包括光敏元件的阵列和栅格，栅格布置在光敏元件的阵列上，并且对每个光敏元件分别限定了用于接收光的开口，其中，栅格包括光吸收部分和在光吸收部分上方的光反射部分。本公开还涉及一种半导体装置的制作方法。

技术领域

本公开涉及半导体领域，具体来说，涉及一种半导体装置及其制作方法。

背景技术

图像传感器可用于感测辐射(例如，光辐射，包括但局限于可见光、红外线、紫外线等)，从而生成对应的电信号。具体来说，图像传感器上包括多个像素，每个像素感测图像的某一区域中的光的强度，并且每个像素所感测到的光的强度被组合起来来得到图像。因此，希望尽可能避免入射光在相邻的像素之间逃逸从而引起串扰，同时还希望尽可能增加每个像素接收到的入射光的利用率，从而增加每个像素产生的光生载流子的数目并增加QE和信噪比。

发明内容

本公开的一个目的是提供一种能够减少像素之间的串扰和增加入射光的利用率的技术。

根据本公开的第一方面，提供了一种半导体装置，包括光敏元件的阵列；和栅格，其布置在光敏元件的阵列上，并且对每个光敏元件分别限定了用于接收光的开口，其中，所述栅格包括光吸收部分和在光吸收部分上方的光反射部分。

根据本公开的第二方面，提供了一种制作半导体装置的方法，其特征在于包括：在半导体衬底中形成光敏元件的阵列；和在所述光敏元件的阵列上形成栅格，该栅格对每个光敏元件分别限定了用于接收光的开口，其中，所述栅格包括光吸收部分和在光吸收部分上方的光反射部分。

通过以下参照附图对本公开的示例性实施例的详细描述，本公开的其它特征及其优点将会变得清楚。

附图说明

构成说明书的一部分的附图描述了本公开的实施例，并且连同说明书一起用于解释本公开的原理。

参照附图，根据下面的详细描述，可以更加清楚地理解本公开，其中：

图1是示意性地示出根据本公开的实施例的半导体装置的结构的示图。

图2是示意性地示出根据本公开的实施例的半导体装置的尺寸的示图。

图3是示意性地示出根据本公开的实施例的半导体装置的制造方法的流程图。

图4A到图4C是示出了制作图1所示的半导体装置的各个步骤时的半导体装置的截面的示例的示意图。

图5是示意性地示出根据本公开的实施例的另一个半导体装置的结构的示图。

注意，在以下说明的实施例中，有时在不同的附图之间共同使用同一附图标记来表示相同部分或具有相同功能的部分，而省略其重复说明。在本说明书中，使用相似的标号和字母表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步讨论。

为了便于理解，在附图等中所示的各结构的位置、尺寸及范围等有时不表示实际的位置、尺寸及范围等。因此，所公开的发明并不限于附图等所公开的位置、尺寸及范围等。

具体实施方式

现在将参照附图来详细描述本公开的各种示例性实施例。应注意到：除非另外具体说明，否则在这些实施例中阐述的部件和步骤的相对布置、数字表达式和数值不限制本公开的范围。

以下对至少一个示例性实施例的描述实际上仅仅是说明性的，决不作为对本公开及其应用或使用的任何限制。

对于相关领域普通技术人员已知的技术、方法和设备可能不作详细讨论，但在适当情况下，所述技术、方法和设备应当被视为授权说明书的一部分。

在这里示出和讨论的所有示例中，任何具体值应被解释为仅仅是示例性的，而不是作为限制。因此，示例性实施例的其它示例可以具有不同的值。