[发明专利]一种OLED面板的制作方法及OLED面板在审
申请号: | 201811537015.6 | 申请日: | 2018-12-14 |
公开(公告)号: | CN109638051A | 公开(公告)日: | 2019-04-16 |
发明(设计)人: | 张明;杨杰;徐湘伦 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黄威 |
地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阴极 制作 热效应 阳极 横向电阻 显示效果 减小 蒸镀 申请 | ||
本申请公开了一种OLED面板的制作方法及OLED面板,所述OLED面板的制作方法包括提供TFT基板;在所述TFT基板上依次蒸镀PLN层、阳极、PDL层和EL层;在所述PDL层和所述EL层上形成第一阴极;在所述PDL层对应的第一阴极上形成第二阴极,从而减少OLED阴极横向电阻,减小OLED的热效应,从而提高OLED的显示效果。
技术领域
本申请涉及显示面板技术领域,尤其涉及一种OLED面板的制作方法及OLED面板。
背景技术
OLED(有机发光二极管)具有自发光、高对比、广视角、低功耗、可弯折等优点受到了大众和研发者的喜爱。柔性OLED也因为其可挠曲,轻薄的特点逐渐占领市场。OLED面板主要由显示区和非显示区两部分构成,显示区内有驱动各个像素(pixel)的TFT走线,非显示区则分布有分别与OLED的阴极、阳极、TFT的G、S、D极连接的各种金属走线。
目前OLED多为顶发射模式,其除了具有高的开口率外,还具有色纯度高,效率高的优点。OLED为电流驱动元件,同时各pixel为分立的阳极和公用的阴极结构。而对于顶发射OLED结构,为了有效利用微腔效应,阳极为全反射电极,阴极为半反射半透过电极。由于阴极为公用电极且为了匹配微腔,因此阴极的膜层厚度相对较薄,约十几个nm,横向电阻较大。而这种超薄的公用阴极结构会使得各不同pixel随供电位置的远近不一而存在加载在OLED上的电压分布不均的问题,即离供电位置近的pixel相应电压低,热效应低;离供电位置远的pixel相应电压高,热效应高,从而导致整个OLED面板上各处的热效应不均,进而导致OLED退化程度不一,影响显示效果。
另外,为了发挥OLED的柔性优势,OLED面板进行窄边框设计,面板下部不再输入阴极信号,而是将阴极信号从左右两侧输入。这种设计也会存在由阴极压降引起的热效应问题。
发明内容
本申请实施例提供一种OLED面板的制作方法及OLED面板,以解决现有OLED面板由于阴极横向电阻大而引起的热效应问题。
本申请实施例提供了一种OLED面板的制作方法,包括:
提供TFT基板;
在所述TFT基板上依次蒸镀PLN层、阳极、PDL层和EL层;
在所述PDL层和所述EL层上形成第一阴极;
在所述PDL层对应的第一阴极上形成第二阴极。
进一步地,所述在所述PDL层和所述EL层上形成第一阴极,具体包括:
采用开放式掩膜版在所述PDL层和所述EL层上蒸镀第一阴极;所述第一阴极的厚度与OLED面板的微腔膜厚相匹配。
进一步地,所述在所述PDL层对应的第一阴极上形成第二阴极,具体包括:
采用图案式掩膜版在所述PDL层对应的第一阴极上蒸镀第二阴极。
进一步地,所述第二阴极的厚度大于50nm。
进一步地,所述在所述PDL层对应的第一阴极上形成第二阴极,具体包括:
在所述PDL层对应的第一阴极上形成多个电极,以作为所述第二阴极;所述电极呈直线型或曲线型。
进一步地,所述PDL层上设有多个呈阵列排列的开口区域,所述EL层位于所述多个开口区域中;
所述多个电极平行设置,且相邻两电极之间至少间隔两行开口区域,每一电极的宽度小于或等于相邻两开口区域的间距的一半。
相应地,本申请实施例提供了一种OLED面板,包括:
TFT基板;
依次蒸镀在所述TFT基板上的PLN层、阳极、PDL层和EL层;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的