[发明专利]半导体装置

说明书

本发明公开了一种半导体装置，该半导体装置被配置为在测试模式期间使用各种条件执行测试。该半导体装置包括：电压产生电路，基于模式控制信号通过不同的电源线输出2supgt;n/supgt;(n是n≥2的整数)个位线预充电电压；以及感测放大器，被配置为从电压产生电路接收位线预充电电压，并且以相同的单元阵列内的2supgt;n/supgt;个连续位线为单位将2supgt;n/supgt;个位线预充电电压供应至相对应的位线。

相关申请的交叉引用

本公开要求于2018年8月1日提交的申请号为10-2018-0089753的韩国专利申请的优先权，其公开通过引用整体并入本文。

技术领域

本公开的各种实施例总体涉及一种半导体装置，并且更特别地涉及一种能够在测试模式期间利用各种条件执行测试的半导体装置。

背景技术

半导体装置使用感测放大器将数据写入在存储器单元中或从存储器单元读取数据。在测试模式期间，半导体装置使用感测放大器将数据写入在存储器单元中或从存储器单元读取数据。另外，在测试模式期间，半导体装置已经被设计为使用高内核电压(Vcore)来屏蔽存储器单元。

然而，当在半导体装置中使用高内核电压(Vcore)时，感测放大器，尤其是在感测放大器中包括的锁存器晶体管在测试模式期间可能不可避免地接收过大的压力，从而存在由于过度的压力导致使感测放大器劣化的较大的可能性。

同时，为了更有效地测试半导体装置，需要更多能够写入数据的测试方案。

因此，需要一种用于防止感测放大器劣化并且同时使用各种测试方案执行测试的方法。

发明内容

根据本公开的一个方面，半导体装置可以包括：电压产生电路，被配置成基于模式控制信号通过不同的电源线输出2ⁿ(n是n≥2的整数)个位线预充电电压；以及感测放大器，其被配置成从电压产生电路接收位线预充电电压，并且以相同的单元阵列内的2ⁿ个连续位线为单位将2ⁿ个位线预充电电压供应至相对应的位线。

根据本公开的一个方面，半导体装置可以包括：单元阵列，被配置成包括联接到多个位线的多个存储器单元；第一感测放大器阵列，位于单元阵列的一侧并且联接到位线之中的奇数位线；第二感测放大器阵列，位于单元阵列的另一侧并且联接到位线之中的偶数位线；以及电压产生电路，被配置成通过不同的电源线联接到第一感测放大器阵列，通过不同的电源线联接到第二感测放大器阵列，并且基于模式控制信号将2ⁿ(其中n是n≥2的整数)个位线预充电电压输出至第一感测放大器阵列和第二感测放大器阵列。

附图说明

图1是示出表示根据本公开的实施例的半导体装置的示例的示意框图。

图2是示出表示使用四个位线预充电电压可被实施的16种测试电压方案的示例的示图。

图3是示出表示图1中所示的电压产生电路的示例的电路图。

图4是示出表示包括图1中所示的感测放大器的DRAM内核的示例的示意电路图。

图5是示出表示对应于图4中所示的单位感测放大器的位线感测放大器(BLSA)的示例的示图。

图6是示出表示在与图5所示的单位感测放大器对应的位线感测放大器(BLSA)的均衡电路中包括的晶体管的物理布置结构的示例的示图。

图7是示出表示图4中所示的感测放大器阵列中的均衡电路和位线对的物理联接结构的示例的示图。

图8是示出表示根据本公开的实施例的在测试模式期间使用位线预充电电压写入数据的方法的示例的时序图。