[发明专利]半导体装置有效
申请号: | 201811531421.1 | 申请日: | 2018-12-14 |
公开(公告)号: | CN110797073B | 公开(公告)日: | 2023-09-29 |
发明(设计)人: | 徐在焕;池性洙 | 申请(专利权)人: | 爱思开海力士有限公司 |
主分类号: | G11C29/12 | 分类号: | G11C29/12;G11C29/02 |
代理公司: | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人: | 刘成春;王璇 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 装置 | ||
1.一种半导体装置,包括:
电压产生电路,基于模式控制信号通过不同的电源线输出2n个位线预充电电压,其中n是大于等于2的整数;以及
感测放大器,从所述电压产生电路接收所述位线预充电电压,并且以相同的单元阵列内的2n个连续位线为单位将所述2n个位线预充电电压供应至相对应的位线,
所述感测放大器包括位于单元阵列一侧的第一感测放大器阵列,
其中所述第一感测放大器阵列包括:多个第一单位感测放大器,通过第一电源线从所述电压产生电路接收位线预充电电压,
在所述第一单位感测放大器中,基于位线均衡信号将所述位线预充电电压供应至一对位线的晶体管形成在与所述第一电源线联接的第一有源区域中。
2.根据权利要求1所述的半导体装置,其中所述电压产生电路包括:
第一预充电电压发生器,在接收到第一模式控制信号时输出具有不同大小的第一电压、第二电压和第三电压中的任意一个作为第一位线预充电电压;
第二预充电电压发生器,在接收到第二模式控制信号时输出所述第一电压、第二电压和第三电压中的任意一个作为第二位线预充电电压;
第三预充电电压发生器,在接收到第三模式控制信号时输出所述第一电压、第二电压和第三电压中的任意一个作为第三位线预充电电压;以及
第四预充电电压发生器,在接收到第四模式控制信号时输出所述第一电压、第二电压和第三电压中的任意一个作为第四位线预充电电压。
3.根据权利要求2所述的半导体装置,其中所述第一预充电电压发生器至所述第四预充电电压发生器中的每一个包括:
位于所述第一电压的传输路径的第一开关元件,基于所述模式控制信号导通或截止;
位于所述第二电压的传输路径的第二开关元件,基于所述模式控制信号导通或截止;以及
位于所述第三电压的传输路径的第三开关元件,基于所述模式控制信号导通或截止。
4.根据权利要求3所述的半导体装置,其中所述第一模式控制信号至所述第四模式控制信号中的每一个包括:
3位信号,控制所述第一开关元件至所述第三开关元件的导通或截止操作,即接通/断开操作。
5.根据权利要求1所述的半导体装置,其中在接收到所述模式控制信号时,所述电压产生电路选择性地输出内核电压、预充电电压或接地电压作为所述2n个位线预充电电压中的每一个的电压值。
6.根据权利要求5所述的半导体装置,进一步包括:
预充电控制器,根据操作模式生成用于控制位线预充电电压的大小的所述模式控制信号,
其中所述预充电控制器以所述2n个位线预充电电压中的每一个达到所述预充电电压的方式控制所述模式控制信号。
7.根据权利要求6所述的半导体装置,其中在测试模式期间,所述预充电控制器以在预充电时段所述2n个位线预充电电压中的每一个达到所述预充电电压VBLP的方式控制所述模式控制信号,并且在数据写入时段以所述2n个位线预充电电压中的每一个达到所述内核电压或所述接地电压的方式控制所述模式控制信号。
8.根据权利要求7所述的半导体装置,其中在从所述数据写入时段完成起经过预定时间之后所述预充电控制器以所述2n个位线预充电电压中的每一个达到所述接地电压的方式控制所述模式控制信号。
9.根据权利要求1所述的半导体装置,其中所述感测放大器包括:
所述第一感测放大器阵列接收所述2n个位线预充电电压之中的奇数位线预充电电压,并且将所述奇数位线预充电电压供应至所述单元阵列;以及
位于单元阵列另一侧的第二感测放大器阵列,接收所述2n个位线预充电电压之中的偶数位线预充电电压,并且将所述偶数位线预充电电压供应至所述单元阵列。
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