[发明专利]显示基板及其制备方法、显示装置有效
申请号: | 201811524811.6 | 申请日: | 2018-12-13 |
公开(公告)号: | CN109545835B | 公开(公告)日: | 2021-02-09 |
发明(设计)人: | 宋振;王国英 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/56 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 柴亮;张天舒 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 及其 制备 方法 显示装置 | ||
本发明提供一种显示基板及其制备方法、显示装置,属于显示技术领域。本发明的显示基板,包括:基底;多个像素单元,位于所述基底上;其中,所述多个像素单元中的至少一个包括:感光单元、发光单元,以及位于所述感光单元和所述发光单元之间的层间绝缘层;所述感光单元,用以检测所述发光单元所发出的光;所述层间绝缘层包括凹槽;所述凹槽在所述基底的正投影与所述感光单元在所述基底的正投影不重合,所述发光单元覆盖所述凹槽。
技术领域
本发明属于显示技术领域,具体涉及一种显示基板及其制备方法、显示装置。
背景技术
当前,对显示面板的光学补偿方案是在显示面板出厂时,对显示面板整体进行一次光学补偿;而目前研发的光学补偿背板则是在背板中添加光敏器件和控制单元,与电学补偿类似,可以监控发光器件的发光效率的变化,从而对显示不良(Mura)进行补偿。
发明内容
本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一,提供一种对发光效率精准检测的显示基板及其制备方法、显示装置。
解决本发明技术问题所采用的技术方案是一种显示基板,包括:
基底;
多个像素单元,位于所述基底上;其中,
所述多个像素单元中的至少一个包括:感光单元、发光单元,以及位于所述感光单元和所述发光单元之间的层间绝缘层;所述感光单元,用以检测所述发光单元所发出的光;
所述层间绝缘层包括凹槽;所述凹槽在所述基底的正投影与所述感光单元在所述基底的正投影不重合,所述发光单元覆盖所述凹槽。
优选的是,所述感光单元包括:光敏二极管。
优选的是,所述光敏二极管包括:依次设置在所述基底上的N型掺杂半导体层、P型掺杂半导体层;其中,
所述P型掺杂半导体层与反偏电压信号线电连接;
所述光敏二极管靠近其P型掺杂半导体层所连接所述反偏电压信号线的侧面为连接侧;
所述凹槽在所述基底的正投影与所述感光单元除所述连接侧外在所述基底的正投影的轮廓相邻。
优选的是,
所述显示基板还包括多条扫描线、多条反偏电压信号线、多条信号读取线;多条所述扫描线和多条所述反偏电压信号线交叉设置限定出所述多个像素单元;每个所述像素单元中还设置有开关晶体管和电容;其中,
位于同一行的所述开关晶体管的控制极连接同一条所述扫描线;位于同一列的所述开关晶体管的第一极连接同一条信号读取线;每个所述像素单元中的所述开关晶体管的第二极连接所述光敏二极管的N型掺杂半导体层;
位于同一列的所述光敏二极管的P型掺杂半导体层连接同一条所述反偏电压信号线;
所述电容连接在其所在所述像素单元中的所述光敏二极管的N型掺杂半导体层和P型掺杂半导体层之间。
优选的是,所述发光单元包括有机电致发光器件;所述有机电致发光器件包括依次设置在基底上第一极、发光层、第二极。
优选的是,所述第一极的材料包括氧化铟锡或氧化锌;
所述第二极的材料包括:锂、镁、钙、锶、铝、铟,或者铜、金、银的合金中的任意一种。
优选的是,所述层间绝缘层的材料包括聚硅氧烷、亚克力、聚酰亚胺中的任意一种。
解决本发明技术问题所采用的技术方案是一种显示基板的制备方法,包括:
形成多个像素单元;
所述形成所述多个像素单元具体包括:在基底上依次形成感光单元、层间绝缘层、发光单元;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的