[发明专利]一种硅研磨片清洗工艺

权利要求书

1.一种硅研磨片的清洗工艺，其特征在于，硅研磨片经氢氟酸溶液漂洗60秒以上，再依次进入七个槽分别进行逐槽超声清洗，其中第一槽、第六槽、第七槽为去离子水溢流槽，第二槽、第三槽、第四槽、第五槽为药液槽；每槽均采用功率为1500W，频率为40KHz的超声振板。

2.根据权利要求1所述的一种硅研磨片清洗工艺，其特征在于，所述氢氟酸溶液浓度为4.5%。

3.根据权利要求2所述的一种硅研磨片清洗工艺，其特征在于，药液由碱性清洗剂、去离子水、氢氧化钾溶液混合配制而成，体积比为碱性清洗剂：去离子水：氢氧化钾溶液=1：10：0.15。

4.根据权利要求3所述的一种硅研磨片清洗工艺，其特征在于，所述氢氧化钾溶液浓度为49±1%。

5.根据权利要求3所述的一种硅研磨片清洗工艺，其特征在于，将所述的碱性清洗剂、去离子水、氢氧化钾溶液按比例混合，均匀搅拌，加热升温到50-55℃。

6.根据权利要求5所述的一种硅研磨片清洗工艺，其特征在于，第二槽、第三槽、第四槽、第五槽的药液槽温度为52±2℃，第一槽温度为23±10℃，第六槽温度为65±2℃，第七槽温度为50±2℃。

7.根据权利要求6所述的一种硅研磨片清洗工艺，其特征在于，七个槽超声清洗时间分别为5min。