[发明专利]一种晶圆键合方法、控制单元和系统有效
申请号: | 201811512166.6 | 申请日: | 2018-12-11 |
公开(公告)号: | CN111312611B | 公开(公告)日: | 2022-09-30 |
发明(设计)人: | 刘洋 | 申请(专利权)人: | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/68;H01L21/66 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 王宝筠 |
地址: | 430205 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 晶圆键合 方法 控制 单元 系统 | ||
本申请提供了一种晶圆键合方法,在第一晶圆和第二晶圆键合在一起之前,能够移动装载在卡盘上的顶针,从而使该顶针位于第一晶圆中心位置,因此,在第一晶圆和第二晶圆键合过程中,顶针作用于第一晶圆的作用点为第一晶圆的中心位置,如此,第一晶圆的形变量关于第一晶圆的中心对称,而不会出现关于晶圆中心对称的位置处的形变量不同的情况,因而,有利于提高晶圆键合对准精度。而且,因顶针作用于第一晶圆的作用点为第一晶圆的中心位置,所以,键合波是从晶圆中心向晶圆边缘扩散,如此,也不会出现晶圆中心对称位置处的作用力不同的情况,因而,不会恶化晶圆边缘区域的扭曲度。此外,本申请还提供了一种晶圆键合控制单元和系统。
技术领域
本申请涉及集成电路制造技术领域,尤其涉及一种晶圆键合方法、控制单元和系统。
背景技术
在当前集成电路制造技术中,为了增加芯片的集成度,晶圆键合工艺是核心技术。
在晶圆键合工艺中,晶圆键合对准精度和键合扭曲度是表征晶圆键合质量的关键参数。其中,键合扭曲度可以表征键合后的晶圆产生的形变量的大小。晶圆键合的对准精度较差,则会严重影响工艺的后段制程,甚至会影响电路的连接,降低集成电路的良率。
因此,提高晶圆键合过程中的晶圆键合对准精度和键合扭曲度是业界研究热点。
发明内容
有鉴于此,本申请提供了一种晶圆键合方法、控制单元和系统,以提高晶圆键合过程中的晶圆键合对准精度和键合扭曲度。
为了达到上述发明目的,本申请采用了如下技术方案:
本申请的第一方面提供了一种晶圆键合方法,其包括:
获取卡盘的卡盘中心位置,所述卡盘用于传送待键合的第一晶圆;
在所述第一晶圆传送到所述卡盘上之后,获取所述第一晶圆的晶圆中心位置;
计算所述卡盘中心位置与所述晶圆中心位置之间的偏移量;
当所述偏移量不在允许偏移量范围内时,根据所述偏移量控制装载在所述卡盘上的顶针移动到所述晶圆中心位置;
待传送到所述卡盘上的第一晶圆与待键合的第二晶圆对准后,控制所述顶针向外顶所述传送到卡盘上的第一晶圆,以实现所述第一晶圆和第二晶圆的键合。
可选地,所述获取卡盘的卡盘中心位置,具体包括:
获取与所述卡盘同心的同一圆周上的至少三个第一位置点的位置信息;
根据所述至少三个第一位置点的位置信息获取所述卡盘的卡盘中心位置。
可选地,所述获取卡盘的卡盘中心位置,具体包括:
获取设置在所述卡盘表面上且与所述卡盘同心的同一圆周上的至少三个第一标记的位置信息;
根据所述至少三个第一标记的位置信息,获取所述卡盘的卡盘中心位置。
可选地,所述与所述卡盘同心的同一圆周为所述卡盘边缘所在的圆周。
可选地,所述在所述第一晶圆传送到所述卡盘上之后,获取所述第一晶圆的晶圆中心位置,具体包括:
获取与所述第一晶圆同心的同一圆周上的至少三个第二位置点的位置信息;
根据所述至少三个第二位置点的位置信息获取所述第一晶圆的晶圆中心位置。
可选地,所述在所述第一晶圆传送到所述卡盘上之后,获取所述第一晶圆的晶圆中心位置,具体包括:
获取设置在所述第一晶圆表面上且与所述第一晶圆同心的同一圆周上的至少三个第二标记的位置信息;
根据所述至少三个第二标记的位置信息,获取所述第一晶圆的晶圆中心位置。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造