[发明专利]热评测系统及热评测方法有效
| 申请号： | 201811489868.7 | 申请日： | 2018-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN110323152B | 公开（公告）日： | 2022-04-05 |
| 发明（设计）人： | 陈建茂;许宏任 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 评测 系统 方法 | ||
1.一种热评测方法，包括：
在配置以进行一半导体工件制程的一平台的表面上生成一相变材料，其中该平台为一晶圆支撑结构，配置以支撑一晶圆，且该半导体工件制程为以热为基础的加工；
将该相变材料设定至一非晶态；
在一半导体加工腔室内执行该半导体工件制程；以及
沿该相变材料测量跨越两点的阻抗。
2.如权利要求1所述的热评测方法，还包括在该半导体加工腔室内沿该相变材料测量跨越该两点的该阻抗。
3.如权利要求1所述的热评测方法，还包括在该半导体加工腔室内在该平台上生成该相变材料。
4.如权利要求1所述的热评测方法，还包括在该半导体加工腔室内通过一探测器施加一能量脉冲，以将该相变材料设定至该非晶态。
5.如权利要求1所述的热评测方法，还包括在执行该半导体工件制程时，将该相变材料设定至该非晶态。
6.如权利要求5所述的热评测方法，还包括在执行该半导体工件制程时，测量跨越该两点的该阻抗。
7.如权利要求1所述的热评测方法，其中，该生成是一沉积制程。
8.一种热评测方法，包括：
在配置以进行一半导体工件制程的一平台的表面上将一相变材料设定至一非晶态，其中该平台为一晶圆支撑结构，配置以支撑一晶圆，且该半导体工件制程为以热为基础的加工；
在一半导体加工腔室内执行该半导体工件制程；以及
沿该相变材料测量跨越两点的阻抗。
9.如权利要求8所述的热评测方法，其中，该相变材料在该半导体加工腔室内抵接一加热元件。
10.如权利要求8所述的热评测方法，其中，该相变材料在该半导体加工腔室内抵接一晶圆位置。
11.如权利要求8所述的热评测方法，其中，该相变材料为GeSbTe合金。
12.如权利要求8所述的热评测方法，还包括在该半导体加工腔室内沿该相变材料测量跨越该两点的该阻抗。
13.如权利要求8所述的热评测方法，还包括在该半导体加工腔室内通过一探测器施加一能量脉冲，以将该相变材料设定至该非晶态。
14.一种热评测系统，包括：
一腔室，配置以加工存放于该腔室中的一半导体工件；
一相变材料，设置于配置以在该腔室内加工该半导体工件的一平台的表面上，其中该平台为一晶圆支撑结构，配置以支撑一晶圆；
一探测器，配置以将该相变材料设定至一非晶态；
一加热元件；以及
多个接点，设置于该相变材料上，其中，所述接点是配置以输入至一欧姆计。
15.如权利要求14所述的热评测系统，其中，该相变材料于该腔室内抵接该加热元件。
16.如权利要求14所述的热评测系统，其中，该相变材料于该腔室内抵接一晶圆位置。
17.如权利要求14所述的热评测系统，其中，该相变材料为GeSbTe合金。
18.如权利要求14所述的热评测系统，其中，该探测器是配置以发射一电子脉冲。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
