[发明专利]多波长光源设备、多功能投影仪、以及电子设备在审
| 申请号: | 201811462599.5 | 申请日: | 2018-11-30 |
| 公开(公告)号: | CN110571233A | 公开(公告)日: | 2019-12-13 |
| 发明(设计)人: | 罗炳勋;柳长雨;韩承勋 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
| 主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/06;H01L33/46;G03B21/20 |
| 代理公司: | 11021 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 范心田 |
| 地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 反射层 波长 发光层 蚀刻停止层 发光元件 基板 纳米结构 配置 光源设备 发射 | ||
1.一种光源设备,包括:
基板;
第一发光元件,形成在所述基板上并且包括第一反射层、被配置为发射第二波长的光的第二发光层、第一蚀刻停止层、被配置为发射第一波长的光的第一发光层,所述第一波长不同于所述第二波长,以及第一纳米结构反射层;以及
第二发光元件,形成在所述基板上,与所述第一发光元件间隔开,并且包括具有与所述第一反射层相同的材料和厚度的第二反射层、具有与所述第二发光层相同的材料和结构并且被配置为生成第二波长的光的第三发光层、具有与所述第一蚀刻停止层相同的材料和厚度的第二蚀刻停止层、以及第二纳米结构反射层。
2.根据权利要求1所述的光源设备,其中,所述光源设备具有整体结构。
3.根据权利要求1所述的光源设备,其中,所述第一波长大于所述第二波长。
4.根据权利要求1所述的光源设备,其中,所述第一发光层和所述第二发光层中的每一个均具有量子阱结构,
其中,所述第一发光层的量子阱结构的带隙能量小于所述第二发光层的量子阱结构的带隙能量。
5.根据权利要求1所述的光源设备,其中,设定所述第一反射层与所述第一纳米结构反射层之间的距离,使得所述第一发光元件被配置为发射所述第二波长的光。
6.根据权利要求1所述的光源设备,其中,所述第一反射层与所述第一纳米结构反射层之间的距离是所述第一波长的第一整数倍。
7.根据权利要求6所述的光源设备,其中,所述第二反射层与所述第二纳米结构反射层之间的距离是所述第二波长的第二整数倍。
8.根据权利要求7所述的光源设备,其中,所述第一整数大于所述第二整数。
9.根据权利要求1所述的光源设备,其中,所述第一波长与所述第二波长之间的差约为50nm或更大。
10.根据权利要求1所述的光源设备,
其中,所述第一波长在红外波段中,并且
其中,所述第二波长在可见光波段中。
11.根据权利要求1所述的光源设备,其中,所述第一发光元件和所述第二发光元件发射不同偏振的光。
12.根据权利要求1所述的光源设备,其中,所述第一纳米结构反射层包括相对于所述第一波长的光具有亚波长形状尺寸的多个第一纳米结构。
13.根据权利要求1所述的光源设备,其中,所述第二纳米结构反射层包括相对于所述第二波长的光具有亚波长形状尺寸的多个第二纳米结构。
14.根据权利要求1所述的光源设备,
其中,所述第一发光元件沿着彼此间隔开并且彼此平行的多个行设置,并且
其中,所述第二发光元件沿着与所述多个行交替的多个行设置。
15.一种多功能投影仪,包括:
根据权利要求1所述的光源设备;
控制器,被配置为控制所述光源设备,使得选择性地驱动所述第一发光元件或所述第二发光元件;以及
纳米结构光调制层,设置在从所述光源设备发射的光的光路上,包括多个纳米结构,并且被配置为对从所述光源设备发射的光进行调制,其中所述多个纳米结构具有小于从所述光源设备发射的光的波长的亚波长形状尺寸。
16.根据权利要求15所述的多功能投影仪,其中,所述纳米结构光调制层被配置为与从所述第二发光元件发射的光不同地调制从所述第一发光元件发射的光。
17.根据权利要求15所述的多功能投影仪,其中,所述第一发光元件和所述第二发光元件被配置为发射不同偏振的光。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





