[发明专利]提升氮化物材料P型掺杂效率的方法及氮化物薄膜有效
| 申请号： | 201811462580.0 | 申请日： | 2018-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN109638118B | 公开（公告）日： | 2021-05-18 |
| 发明（设计）人： | 张宁;冯梁森;魏学成;王军喜;李晋闽 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/32 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 提升 氮化物 材料 掺杂 效率 方法 薄膜 | ||
1.一种提升氮化物材料P型掺杂效率的方法，利用外加机械力或材料本身失配应力作用于p型氮化物薄膜的掺杂表面，从而增大p型掺杂氮化物薄膜的晶格常数，降低p型掺杂杂质在氮化物薄膜中的热激活能，提高杂质原子的激活率；所述p型氮化物薄膜生长于量子阱薄膜材料的表面。
2.根据权利要求1所述的提升氮化物材料P型掺杂效率的方法，所述外加机械力为垂直静压力，该垂直静压力在所述p型氮化物薄膜内产生的面内晶格应变介于0至0.2之间。
3.根据权利要求1所述的提升氮化物材料P型掺杂效率的方法，所述外加机械力为二维轴向拉应力，该二维轴向拉应力在所述p型氮化物薄膜内产生的面内晶格应变介于0至0.2之间。
4.根据权利要求1所述的提升氮化物材料P型掺杂效率的方法，所述p型氮化物薄膜生长于InxGa1-xN薄膜材料的表面；
其中，x介于0.1至1之间，该InxGa1-xN薄膜材料的厚度介于1nm至2000nm之间。
5.根据权利要求1所述的提升氮化物材料P型掺杂效率的方法，所述p型氮化物薄膜生长于InxAl1-xN薄膜材料的表面；
其中，x介于0.6至1之间，该InxAl1-xN薄膜材料的厚度介于1nm至2000nm之间。
6.根据权利要求1所述的提升氮化物材料P型掺杂效率的方法，所述p型氮化物薄膜生长于BN薄膜材料的表面；
其中，该BN薄膜材料的厚度介于1nm至2000nm之间。
7.根据权利要求1所述的提升氮化物材料P型掺杂效率的方法，利用外加机械力或材料本身失配应力作用于所述p型氮化物薄膜的掺杂表面时，所述p型氮化物薄膜的面内晶格应变介于0至0.2之间。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的提升氮化物材料P型掺杂效率的方法，所述p型氮化物薄膜的材料包括：GaN、AlN、BN、InN、InGaN、AlGaN、AlInGaN、BGaN，InAlN或InBN。
9.一种p型掺杂氮化物薄膜，包括：氮化物薄膜以及掺杂于其表面的杂质原子；
其中，该p型掺杂氮化物薄膜在掺杂过程中采用如上述权利要求1至8中任一项所述的提升氮化物材料P型掺杂效率的方法。
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