[发明专利]一种具有蠕虫状晶粒的多孔碳化硅陶瓷的制备方法有效
| 申请号: | 201811456691.0 | 申请日: | 2018-11-30 |
| 公开(公告)号: | CN109503172B | 公开(公告)日: | 2020-05-22 |
| 发明(设计)人: | 王波;张建飞;智强;周小楠;黄鑫;丁克;李紫璇;杨建锋 | 申请(专利权)人: | 西安交通大学 |
| 主分类号: | C04B35/573 | 分类号: | C04B35/573;C04B35/64;C04B38/00 |
| 代理公司: | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人: | 徐文权 |
| 地址: | 710049 陕*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 具有 蠕虫 晶粒 多孔 碳化硅 陶瓷 制备 方法 | ||
1.一种具有蠕虫状晶粒的多孔碳化硅陶瓷的制备方法,其特征在于,该多孔碳化硅陶瓷通过将碳纳米管、碳化硅颗粒和稀土氧化物的混合材料模压成型,置于石墨坩埚中,进行高温烧结制备得到,具体包括下述步骤:
1)多孔碳化硅预烧结体制备:按照质量百分比将26.89~90.00wt%的碳纳米管,0.00~67.22wt%的α-SiC,和5.00~16.17wt%的稀土氧化物混合粉末模压成型后形成生坯,将SiO粉末置于坩埚底部,将生坯置于坩埚中部的石墨支架上,再将坩埚放在多功能烧结炉中,通入氩气,在1400℃~1700℃保温0.5~8小时,进行碳热还原反应生成碳化硅坯体,其中SiO和碳纳米管的质量比为(8~12):1;其中所述的模压成型的压力为10~80MPa,保压时间为1~3min;多功能烧结炉中从室温升至1100℃的升温速度为500~700℃/h,从1100℃升温至烧结温度的升温速度为100~300℃/h;
2)多孔碳化硅陶瓷制备:继续升温至1700℃~1800℃进行液相烧结0.5~2小时,此过程中碳化硅烧结颈相互结合,获得具有蠕虫状晶粒的多孔碳化硅陶瓷,其中碳热还原温度升至液相烧结温度的升温速度为50~100℃/h。
2.根据权利要求1所述的具有蠕虫状晶粒的多孔碳化硅陶瓷的制备方法,其特征在于,步骤1)中,选用碳化硅的平均粒径为0.2~4μm。
3.根据权利要求1所述的具有蠕虫状晶粒的多孔碳化硅陶瓷的制备方法,其特征在于,步骤1)中,选用的稀土氧化物为Y2O3,Yb2O3,La2O3或Eu2O3。
4.根据权利要求1所述的具有蠕虫状晶粒的多孔碳化硅陶瓷的制备方法,其特征在于,步骤1)中,所述的氩气气氛压力为1~7atm。
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