[发明专利]一种具有蠕虫状晶粒的多孔碳化硅陶瓷的制备方法有效

专利信息
申请号: 201811456691.0 申请日: 2018-11-30
公开(公告)号: CN109503172B 公开(公告)日: 2020-05-22
发明(设计)人: 王波;张建飞;智强;周小楠;黄鑫;丁克;李紫璇;杨建锋 申请(专利权)人: 西安交通大学
主分类号: C04B35/573 分类号: C04B35/573;C04B35/64;C04B38/00
代理公司: 西安通大专利代理有限责任公司 61200 代理人: 徐文权
地址: 710049 陕*** 国省代码: 陕西;61
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 具有 蠕虫 晶粒 多孔 碳化硅 陶瓷 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种具有蠕虫状晶粒的多孔碳化硅陶瓷的制备方法,其特征在于,该多孔碳化硅陶瓷通过将碳纳米管、碳化硅颗粒和稀土氧化物的混合材料模压成型,置于石墨坩埚中,进行高温烧结制备得到,具体包括下述步骤:

1)多孔碳化硅预烧结体制备:按照质量百分比将26.89~90.00wt%的碳纳米管,0.00~67.22wt%的α-SiC,和5.00~16.17wt%的稀土氧化物混合粉末模压成型后形成生坯,将SiO粉末置于坩埚底部,将生坯置于坩埚中部的石墨支架上,再将坩埚放在多功能烧结炉中,通入氩气,在1400℃~1700℃保温0.5~8小时,进行碳热还原反应生成碳化硅坯体,其中SiO和碳纳米管的质量比为(8~12):1;其中所述的模压成型的压力为10~80MPa,保压时间为1~3min;多功能烧结炉中从室温升至1100℃的升温速度为500~700℃/h,从1100℃升温至烧结温度的升温速度为100~300℃/h;

2)多孔碳化硅陶瓷制备:继续升温至1700℃~1800℃进行液相烧结0.5~2小时,此过程中碳化硅烧结颈相互结合,获得具有蠕虫状晶粒的多孔碳化硅陶瓷,其中碳热还原温度升至液相烧结温度的升温速度为50~100℃/h。

2.根据权利要求1所述的具有蠕虫状晶粒的多孔碳化硅陶瓷的制备方法,其特征在于,步骤1)中,选用碳化硅的平均粒径为0.2~4μm。

3.根据权利要求1所述的具有蠕虫状晶粒的多孔碳化硅陶瓷的制备方法,其特征在于,步骤1)中,选用的稀土氧化物为Y2O3,Yb2O3,La2O3或Eu2O3

4.根据权利要求1所述的具有蠕虫状晶粒的多孔碳化硅陶瓷的制备方法,其特征在于,步骤1)中,所述的氩气气氛压力为1~7atm。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安交通大学,未经西安交通大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201811456691.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top