[发明专利]发光封装结构及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201811453487.3 申请日: 2018-11-30
公开(公告)号: CN111261752B 公开(公告)日: 2021-08-06
发明(设计)人: 陈志源;李天佑;黄建栋;蔡玮伦 申请(专利权)人: 光宝光电(常州)有限公司;光宝科技股份有限公司
主分类号: H01L33/00 分类号: H01L33/00;H01L33/10;H01L33/54
代理公司: 北京律和信知识产权代理事务所(普通合伙) 11446 代理人: 武玉琴;冷文燕
地址: 213123 江苏省常州*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 发光 封装 结构 及其 制造 方法
【说明书】:

一种发光封装结构,其包括:发光芯片以及覆盖于发光芯片的封装胶,且封装胶具有抗粘黏上表面以及抗粘黏环绕表面。本发明进一步提供一种发光封装结构的制造方法,其包括:设置多个发光芯片于暂时承载体;形成封装胶以覆盖多个发光芯片;对封装胶进行切割处理,以形成独立发光封装结构;以及对切割后的封装胶进行表面处理,以使得封装胶具有抗粘黏上表面以及抗粘黏环绕表面。本发明的发光封装结构及其制造方法可以有效降低表面粘黏,提高打件良率。

技术领域

本发明涉及一种发光封装结构及其制造方法,特别是涉及一种经表面处理的发光封装结构及其制造方法。

背景技术

近年来,由于发光二极管(light emitting diode,LED)具有省电、寿命长、环保、体积小等多项优点,而使发光组件广泛应用于电子装置或光学装置上。

在现有的封装工艺中,硅胶材料(Silicone)具有优越的耐候、耐热及光学特性,被选用为主要的封装材料。然而,由于硅胶材料具有黏性,在打件工艺中容易粘黏载带,而造成打件工艺的良率降低。

芯片尺寸构装(Chip Scale Package,CSP)为新型态的LED封装,具体来说,CSP的结构只有发光芯片和五面硅胶包覆。硅胶材料粘黏的情况在CSP工艺上尤为严重,现有技术中常见的抗粘黏处理如:氟素抗粘黏剂、改用硬度较高的硅胶、抗静电封装带及载带(covertapecarrier)凸块设计等方法,但仍具有涂布不均、侧面无法涂布、硬度较高的硅胶易裂开或信赖信差的情况,因此,如何降低CSP表面粘黏以提高打件良率已成为该项事业所欲解决的重要课题之一。

发明内容

本发明所要解决的技术问题在于,针对现有技术的不足提供一种发光封装结构及其制造方法,以改善CSP表面粘黏所造成打件良率差的缺陷,减少工艺中抛料损失及客诉案件。

为了解决上述的技术问题,本发明所采用的其中一技术方案是,提供一种发光封装结构,其包括:一发光芯片以及一封装胶,封装胶覆盖所述发光芯片,且具有经过表面处理的一抗粘黏上表面以及一抗粘黏环绕表面,所述发光芯片所产生的光束沿着一出光路径而穿过所述封装胶。

更进一步地,所述发光芯片具有一出光面以及一环绕面,所述封装胶的所述抗粘黏上表面对应于所述出光面,所述封装胶的所述抗粘黏环绕表面对应于所述环绕面。

更进一步地,所述封装胶包括设置在所述出光面的一透光层以及围绕所述环绕面的一反射层,所述透光层中混有波长转换材料,所述反射层中混有反射材料。

更进一步地,所述封装胶包括设置在所述出光面的一透光层以及围绕所述环绕面的一反射层,且所述透光层被所述反射层所围绕。

更进一步地,所述封装胶包括设置在所述出光面且围绕所述环绕面的一透光层,所述透光层中混有波长转换材料。

更进一步地,所述封装胶包括设置在所述出光面且围绕所述环绕面的一透光层,且所述封装胶包括围绕所述透光层的一反射层,所述反射层中混有反射材料。

更进一步地,所述封装胶的所述抗粘黏上表面与所述抗粘黏环绕表面的粗糙度比值为0.009至0.75。

为了解决上述的技术问题,本发明所采用的另外一技术方案是,提供一种发光封装结构的制造方法,其包括:设置多个发光芯片于一暂时承载体;形成一封装胶以覆盖所述多个发光芯片;对所述封装胶进行切割处理,以形成独立发光封装结构;以及对所述切割后的封装胶进行一表面处理,以使得所述封装胶具有一抗粘黏上表面以及一抗粘黏环绕表面。

本发明的其中一有益效果在于,本发明所提供的发光封装结构及其制造方法,其能通过“所述封装胶具有一抗粘黏上表面以及一抗粘黏环绕表面”的技术方案,降低发光封装结构表面粘黏,以提高打件良率。

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