[发明专利]用于处理基板的装置及方法在审
申请号: | 201811444702.3 | 申请日: | 2018-11-29 |
公开(公告)号: | CN109860076A | 公开(公告)日: | 2019-06-07 |
发明(设计)人: | 李龙熙;李暎熏;郑镇优;林义相 | 申请(专利权)人: | 细美事有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 韩国忠淸南道天安*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基板 液体处理 液体处理腔 处理液 边缘区域 处理基板 干燥腔室 中心区域 传送 支承单元 高度比 完成时 保留 支承 | ||
1.一种用于处理基板的方法,所述方法包括:
液体处理步骤,其用于通过将处理液供应到液体处理腔室中的所述基板上,在所述基板上执行液体处理;
传送步骤,其用于将所述基板从所述液体处理腔室传送至干燥腔室;以及
干燥步骤,其用于在所述干燥腔室中干燥所述基板,
其中,在所述干燥步骤中,在除所述基板的中心区域外的所述基板的边缘区域被支承单元支承的情况下,干燥所述基板,和
其中,在所述液体处理步骤中,在所述基板上执行所述液体处理,使得当所述液体处理在所述液体处理腔室中完成时,保留在所述基板的所述边缘区域的所述处理液的高度比保留在所述基板的所述中心区域的所述处理液的高度要高。
2.根据权利要求1所述的方法,其中,所述液体处理步骤包括:
液体供应步骤,其用于向旋转的所述基板供应所述处理液;以及
液位调节步骤,其用于在所述液体供应步骤之后停止供应所述处理液并旋转所述基板。
3.根据权利要求2所述的方法,其中,所述基板在所述液体供应步骤中以第一速度旋转并在所述液位调节步骤中以第二速度旋转,且所述第二速度比所述第一速度低。
4.根据权利要求3所述的方法,其中,所述液体供应步骤包括:
第一供应步骤,其用于以第一旋转速度旋转所述基板并且向所述基板以第一流速供应所述处理液;以及
第二供应步骤,其用于以第二旋转速度旋转所述基板并且向所述基板以第二流速供应所述处理液,
其中,所述第一旋转速度比所述第二旋转速度高,并且
其中,所述第一流速比所述第二流速大。
5.根据权利要求1所述的方法,其中,在所述液体处理步骤中,中心喷嘴和边缘喷嘴同时将所述处理液供应到所述基板上,
其中,所述中心喷嘴将所述处理液供应到所述旋转的基板的所述中心区域,并且所述边缘喷嘴将所述处理液供应到所述旋转的基板的所述边缘区域,且
其中,所述边缘喷嘴供应的所述处理液的流速比所述中心喷嘴供应的所述处理液的流速大。
6.根据权利要求1所述的方法,其中,在所述液体处理步骤中,所述处理液通过液体供应喷嘴供应到所述旋转的基板上,
其中,从所述液体供应喷嘴供应的所述处理液的分配位置在所述基板的所述中心区域和所述边缘区域之间移动,并且
其中,供应到所述基板的所述边缘区域的所述处理液的流速被修改为大于供应到所述基板的所述中心区域的所述处理液的流速。
7.根据权利要求1-6中任一项所述的方法,其中,在所述液体处理步骤中,通过依序地将第一液体、第二液体和第三液体供应到所述基板上来处理所述基板,并且所述处理液为所述第三液体,
其中,在所述干燥步骤中,使用超临界流体将所述基板干燥,并且
其中,所述第三液体在所述超临界流体中比所述第二液体溶解得更好。
8.根据权利要求7所述的方法,其中,所述第三液体包括异丙醇,并且
其中,所述超临界流体为二氧化碳。
9.根据权利要求7所述的方法,其中,所述基板被传送到所述干燥腔室中,所述处理液保留在所述基板上。
10.根据权利要求7所述的方法,其中,所述第一液体为蚀刻流体,且所述第二液体中和所述第一液体并且在所述第三液体中比所述第一液体溶解得更好。
11.根据权利要求1-6中任一项所述的方法,其中,当所述基板被传送到所述干燥腔室中时,在所述基板的所述边缘区域上的所述处理液的高度比在所述基板的所述中心区域上的所述处理液的高度高。
12.根据权利要求3-6中任一项所述的方法,其中,所述第二速度范围从10RPM至100RPM。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造