[发明专利]量子点发光二极管及其制备方法

权利要求书

1.一种量子点发光二极管，包括阳极、阴极以及设置在所述阳极和所述阴极之间的量子点发光层，所述量子点发光层与所述阳极之间设置有空穴传输层，其特征在于，所述空穴传输层靠近所述量子点发光层的表面设置有离子液体材料层。

2.如权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述量子点发光层、所述离子液体材料层与所述空穴传输层层叠形成。

3.如权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述离子液体材料层中包括一种或多种离子液体材料，所述离子液体材料为有机阳离子和无机阴离子组成的盐；其中，

所述有机阳离子选自烷基季铵离子、烷基季磷离子、烷基取代的咪唑离子、烷基取代的吡啶离子中的一种，所述无机阴离子选自卤素离子和无机酸阴离子中的一种。

4.如权利要求3所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述烷基季铵离子选自N,N-二乙基-N-甲基-N-(n-丙基)铵阳离子和N,N-二乙基-N-甲基-(2-甲氧乙基)铵阳离子中的一种；或者，

所述烷基季磷离子选自十四烷基三丁基磷阳离子、四羟甲基磷阳离子、乙基三丁基磷阳离子和四丁基磷阳离子中的一种；或者，

所述烷基取代的咪唑离子选自1-丁基-3-甲基咪唑阳离子、1-乙基-3-甲基咪唑阳离子、1-辛基-3-甲基咪唑阳离子、1-癸基-3-甲基咪唑阳离子、1-己基-3-甲基咪唑阳离子和1-甲基-3-正辛基咪唑阳离子中的一种；或者，

所述烷基取代的吡啶离子选自N-乙基吡啶阳离子、N-丁基吡啶阳离子、N-己基吡啶阳离子、N-辛基吡啶阳离子和N-甲基-N-丙基吡啶阳离子中的一种；或者，

所述卤素离子选自F^-、Cl^-、Br^-和I^-中的一种；或者，

所述无机酸阴离子选自TFSI^-、BF₄^-、PF₆^-、DCA^-、CF₃SO₃^-、CF₃COO^-、(CF₃SO₂)₃C^-、(C₂F₅SO₂)₃C^-、C₃F₇COO^-、C₄F₉SO₃^-、(C₂F₅SO₂)₂N^-、SbF₆^-、AsF₆^-、CB₁₁H₁₂^-和CF₃BF₃^-中的一种。

5.如权利要求3所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述有机阳离子选自烷基季磷离子和烷基取代的咪唑离子中的一种。

6.如权利要求3所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述有机阳离子为非对称阳离子；和/或

所述有机阳离子和无机阴离子之间形成有氢键。

7.如权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述离子液体材料层中的离子液体材料选自1-乙基-3-甲基咪唑双三氟甲磺酰亚胺盐、1-乙基-3-甲基咪唑二(五氟乙基磺酰)亚胺、1-乙基-3-甲基咪唑双三氟甲磺酰亚胺盐、1-乙基-3-甲基咪唑二氰胺、N,N-二乙基-N-甲基-N-(n-丙基)三氟甲基三氟硼酸铵、1-丁基-3-甲基咪唑三氟甲磺酸盐和N,N-二乙基-N-甲基-N-(2-甲氧基乙基)铵基双(三氟甲基磺酰)酰亚胺中的至少一种。