[发明专利]一种纳米金属氧化物及其制备方法、量子点发光二极管

权利要求书

1.一种纳米金属氧化物的制备方法，其特征在于，包括步骤：

提供一种复合材料，所述复合材料包括PAMAM树形分子以及结合在所述PAMAM树形分子腔体内的金属离子；

将所述复合材料加入到纳米金属氧化物生长反应体系中混合，使所述金属离子从复合材料中电离，电离后的金属离子参与金属氧化物的晶体生长，得到所述纳米金属氧化物。

2.根据权利要求1所述纳米金属氧化物的制备方法，其特征在于，所述PAMAM树形分子选自第五代至第十代PAMAM树形分子中的一种或多种。

3.根据权利要求1所述纳米金属氧化物的制备方法，其特征在于，所述PAMAM树形分子选自第五代和第六代PAMAM树形分子中的一种或两种。

4.根据权利要求1所述纳米金属氧化物的制备方法，其特征在于，所述金属离子的元素类型选自Mg、Au、Cu、Li、Al、Cd、In、Cs、Ga和Gd中的一种或多种。

5.根据权利要求1所述纳米金属氧化物的制备方法，其特征在于，将所述复合材料加入到纳米金属氧化物生长反应体系中混合，所述纳米金属氧化物生长反应体系包括纳米金属氧化物前驱体和有机碱。

6.根据权利要求5所述纳米金属氧化物的制备方法，其特征在于，所述纳米金属氧化物前驱体选自醋酸锌、醋酸镍、醋酸钨、四氯化钛、醋酸锡、醋酸锆和醋酸铊中的一种或多种。

7.根据权利要求2所述纳米金属氧化物的制备方法，其特征在于，当所述复合材料中的PAMAM树形分子为第五代PAMAM树形分子时，按第五代PAMAM树形分子与纳米金属氧化物前驱体的摩尔比为0.1-0.5：1，将所述复合材料加入到纳米金属氧化物生长反应体系中混合；

和/或，当复合材料中的PAMAM树形分子为第六代PAMAM树形分子时，按第六代PAMAM树形分子与纳米金属氧化物前驱体的摩尔比为0.05-0.2：1，将所述复合材料加入到纳米金属氧化物生长反应体系中混合；

和/或，当复合材料中的PAMAM树形分子为第七代PAMAM树形分子时，按第七代PAMAM树形分子与纳米金属氧化物前驱体的摩尔比为0.02-0.1：1，将所述复合材料加入到纳米金属氧化物生长反应体系中混合；

和/或，当复合材料中的PAMAM树形分子为第八代PAMAM树形分子时，按第八代PAMAM树形分子与纳米金属氧化物前驱体的摩尔比为0.01-0.05：11，将所述复合材料加入到纳米金属氧化物生长反应体系中混合；

和/或，当复合材料中的PAMAM树形分子为第九代PAMAM树形分子时，按第九代PAMAM树形分子与纳米金属氧化物前驱体的摩尔比为0.005-0.01：11，将所述复合材料加入到纳米金属氧化物生长反应体系中混合；

和/或，当复合材料中的PAMAM树形分子为第十代PAMAM树形分子时，按第十代PAMAM树形分子与纳米金属氧化物前驱体的摩尔比为0.001-0.005：1，将所述复合材料加入到纳米金属氧化物生长反应体系中混合。

8.一种纳米金属氧化物，其特征在于，采用权利要求1-7任意一种方法制备而成。

9.一种量子点发光二极管，包括电子传输层，其特征在于，所述电子传输层材料为权利要求1-7任一所述制备方法制备的纳米金属氧化物或权利要求8所述的纳米金属氧化物。