[发明专利]太阳能组件的层压方法在审
申请号: | 201811430604.4 | 申请日: | 2018-11-28 |
公开(公告)号: | CN109524507A | 公开(公告)日: | 2019-03-26 |
发明(设计)人: | 李元荣;李小卫;畅西林;赵邦桂;韩金城;仲生星 | 申请(专利权)人: | 国家电投集团西安太阳能电力有限公司;国家电投集团西安太阳能电力有限公司西宁分公司;国家电投集团黄河上游水电开发有限责任公司;青海黄河上游水电开发有限责任公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;B32B37/10;B32B37/06 |
代理公司: | 上海硕力知识产权代理事务所(普通合伙) 31251 | 代理人: | 郭桂峰 |
地址: | 710100 陕西*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 太阳能组件 加压 上腔室 层压 压强 层压机 增压 时长 隐裂 电站 漏电 加速老化 热斑效应 输出功率 抽真空 下腔室 合盖 衰减 | ||
本发明提供了一种太阳能组件的层压方法,包括:将太阳能组件设置于层压机内,并将所述层压机合盖;对所述层压机的上腔室与下腔室均抽真空;对所述上腔室进行增压,以对所述太阳能组件进行层压;所述对所述上腔室进行增压,以对所述太阳能组件进行层压,包括:对所述上腔室分别进行多次加压,每次加压后均保持加压后的压强一定时长。本发明通过多次分别加压,且每次保持加压后压强一定时长,避免或减轻了因压强上升过快而导致的隐裂与气泡,进而,可避免或减轻因组件隐裂、气泡而造成电站组件输出功率衰减、热斑效应及加速老化、漏电等风险,为电站提供优质的组件提供良好的保障。
技术领域
本发明涉及太阳能领域,尤其涉及一种太阳能组件的层压方法。
背景技术
太阳能是一种清洁、高效和永不衰竭的新能源,是重要的可再生能源之一。随着太阳能行业的发展,更多的客户及太阳能电池组件制造商越来越重视组件内电池片的外观质量问题。
现有相关技术中,国内外对电池片隐裂问题进行了大量研究,有结果显示:发电的组件电池片隐裂后,会出现热斑效应,消耗其他电池片产生的电能,同时,轻则烧毁电池片,严重的会引起整片电池组件的燃烧并引起火灾。近几年由热斑效应引起的电站火灾多有发生。另外组件内部气泡可能会引起电池片间短路引发火灾,组件边缘气泡可能导致组件漏电,严重威胁安装操作人员人身安全。
可见,如何解决或减轻隐裂与气泡的产生,成为了本领域亟需解决的问题。
发明内容
本发明提供一种太阳能组件的层压方法,以解决如何解决或减轻隐裂与气泡的产生的问题。
根据本发明的第一方面,提供了一种太阳能组件的层压方法,包括:
将太阳能组件设置于层压机内,并将所述层压机合盖;
对所述层压机的上腔室与下腔室均抽真空;
对所述上腔室进行增压,以对所述太阳能组件进行层压;
所述对所述上腔室进行增压,以对所述太阳能组件进行层压,包括:
对所述上腔室分别进行多次加压,每次加压后均保持加压后的压强一定时长。
可选的,所述对所述上腔室分别进行多次加压,每次加压后均保持加压后的压强一定时长,包括:
对所述上腔室进行第一次加压,以加压至第一压强,并保持所述第一压强第一保持时长;
对所述上腔室进行第二次加压,以加压至第二压强,并保持所述第二压强第二保持时长;
对所述上腔室进行第三次加压,以加压至第三压强,并保持所述第三压强第三保持时长。
可选的,所述第三压强大于所述第二压强,所述第二压强大于所述第一压强。
可选的,所述第一保持时长小于所述第二保持时长,所述第二保持时长小于所述第三保持时长。
可选的,所述第一次加压的第一加压时长大于所述第二次加压的第二加压时长,所述第三次加压的第三加压时长大于所述第二加压时长。
可选的,所述第一加压时长的取值范围为20秒至30秒,所述第一压强的取值范围为250毫巴至350毫巴,所述第一保持时长的取值范围为25秒至35秒;
所述第二加压时长的取值范围为10秒至20秒,所述第二压强的取值范围为400毫巴至500毫巴,所述第二保持时长的取值范围为55秒至65秒;
所述第三加压时长的取值范围为20秒至30秒,所述第三压强的取值范围为600毫巴至700毫巴,所述第三保持时长的取值范围为12分钟至14分钟。
可选的,所述第一加压时长为25秒,所述第一压强为300毫巴,所述第一保持时长为30秒;
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于国家电投集团西安太阳能电力有限公司;国家电投集团西安太阳能电力有限公司西宁分公司;国家电投集团黄河上游水电开发有限责任公司;青海黄河上游水电开发有限责任公司,未经国家电投集团西安太阳能电力有限公司;国家电投集团西安太阳能电力有限公司西宁分公司;国家电投集团黄河上游水电开发有限责任公司;青海黄河上游水电开发有限责任公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的