[发明专利]太阳能组件的层压方法在审
申请号: | 201811430604.4 | 申请日: | 2018-11-28 |
公开(公告)号: | CN109524507A | 公开(公告)日: | 2019-03-26 |
发明(设计)人: | 李元荣;李小卫;畅西林;赵邦桂;韩金城;仲生星 | 申请(专利权)人: | 国家电投集团西安太阳能电力有限公司;国家电投集团西安太阳能电力有限公司西宁分公司;国家电投集团黄河上游水电开发有限责任公司;青海黄河上游水电开发有限责任公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;B32B37/10;B32B37/06 |
代理公司: | 上海硕力知识产权代理事务所(普通合伙) 31251 | 代理人: | 郭桂峰 |
地址: | 710100 陕西*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 太阳能组件 加压 上腔室 层压 压强 层压机 增压 时长 隐裂 电站 漏电 加速老化 热斑效应 输出功率 抽真空 下腔室 合盖 衰减 | ||
1.一种太阳能组件的层压方法,包括:
将太阳能组件设置于层压机内,并将所述层压机合盖;
对所述层压机的上腔室与下腔室均抽真空;
对所述上腔室进行增压,以对所述太阳能组件进行层压;
其特征在于,所述对所述上腔室进行增压,以对所述太阳能组件进行层压,包括:
对所述上腔室分别进行多次加压,每次加压后均保持加压后的压强一定时长。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述对所述上腔室分别进行多次加压,每次加压后均保持加压后的压强一定时长,包括:
对所述上腔室进行第一次加压,以加压至第一压强,并保持所述第一压强第一保持时长;
对所述上腔室进行第二次加压,以加压至第二压强,并保持所述第二压强第二保持时长;
对所述上腔室进行第三次加压,以加压至第三压强,并保持所述第三压强第三保持时长。
3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述第三压强大于所述第二压强,所述第二压强大于所述第一压强。
4.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述第一保持时长小于所述第二保持时长,所述第二保持时长小于所述第三保持时长。
5.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述第一次加压的第一加压时长大于所述第二次加压的第二加压时长,所述第三次加压的第三加压时长大于所述第二加压时长。
6.根据权利要求5所述的方法,其特征在于,所述第一加压时长的取值范围为20秒至30秒,所述第一压强的取值范围为250毫巴至350毫巴,所述第一保持时长的取值范围为25秒至35秒;
所述第二加压时长的取值范围为10秒至20秒,所述第二压强的取值范围为400毫巴至500毫巴,所述第二保持时长的取值范围为55秒至65秒;
所述第三加压时长的取值范围为20秒至30秒,所述第三压强的取值范围为600毫巴至700毫巴,所述第三保持时长的取值范围为12分钟至14分钟。
7.根据权利要求6所述的方法,其特征在于,所述第一加压时长为25秒,所述第一压强为300毫巴,所述第一保持时长为30秒;
所述第二加压时长为15秒,所述第二压强为450毫巴,所述第二保持时长为1分钟;
所述第三加压时长为25秒,所述第三压强为650毫巴,所述第三保持时长为13分钟。
8.根据权利要求1至7任一项所述的方法,其特征在于,对所述层压机的上腔室与下腔室均抽真空的抽真空时长的取值范围为5分40秒至7分40秒。
9.根据权利要求1至7任一项所述的方法,其特征在于,所述对所述上腔室分别进行多次加压,每次加压后均保持加压后的压强一定时长之后,还包括:
将所述上腔室再次抽真空,并对所述下腔室进行充气;
将所述上压机开盖。
10.根据权利要求1至7任一项所述的方法,其特征在于,所述层压机的加热板的温度保持在预设的加热温度,所述加热温度的取值范围为130度至170度。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于国家电投集团西安太阳能电力有限公司;国家电投集团西安太阳能电力有限公司西宁分公司;国家电投集团黄河上游水电开发有限责任公司;青海黄河上游水电开发有限责任公司,未经国家电投集团西安太阳能电力有限公司;国家电投集团西安太阳能电力有限公司西宁分公司;国家电投集团黄河上游水电开发有限责任公司;青海黄河上游水电开发有限责任公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的