[发明专利]自适应粒度写入跟踪

说明书

半导体封装设备的实施例可包括技术来创建用于存储器控制器的跟踪结构以跟踪持久性存储器的某个范围的存储器地址，在存储器控制器识别对在被跟踪存储器地址的该范围内的存储器位置的写入请求，以及在跟踪结构中设置标志以指示该存储器位置具有识别的写入请求。公开并且要求保护其它实施例。

技术领域

实施例一般涉及存储器系统。更具体地说，实施例涉及自适应粒度写入跟踪。

背景技术

三维（3D）交点存储器技术可提供高容量非易失性存储器（NVM）。例如，INTELOPTANE技术可利用3D XPOINT存储器介质、存储器和存储控制器及互连技术的组合来在存储器系统中提供高吞吐量、低延迟、高服务质量和高耐久性。

附图说明

本领域技术人员通过阅读以下说明书和随附权利要求书并且参照后面的附图，将明白实施例的各种优点，其中：

图1是根据实施例的电子处理系统的示例的框图；

图2是根据实施例的半导体封装设备的示例的框图；

图3A到3C是根据实施例的控制存储器的方法的示例的流程图；

图4是根据实施例的范围映射（rangemap）的示例的说明性图示；

图5是根据实施例的存储器控制器设备的示例的框图；以及

图6是根据实施例的多层存储器系统的示例的框图。

具体实施方式

本文中描述的各种实施例可包括存储器组件和/或到存储器组件的接口。此类存储器组件可包括易失性和/或非易失性存储器。非易失性存储器可以是不要求功率来保持由介质存储的数据的状态的存储介质。在一个实施例中，存储器装置可包括块可寻址存储器装置，诸如基于NAND或NOR技术的那些。存储器装置可也包括未来世代的非易失性装置，诸如三维交点存储器装置或其它字节可寻址位写入（write-in-place）非易失性存储器装置。在一个实施例中，存储器装置可以是或可以包括存储器装置，所述存储器装置使用硫化物玻璃、多阈值级NAND闪速存储器、NOR闪速存储器、单级或多级相变存储器（PCM）、电阻存储器、纳米线存储器、铁电晶体管随机存取存储器（FeTRAM）、反铁电存储器、结合忆阻器技术的磁阻随机存取存储器（MRAM）存储器、包括金属氧化物基、氧空位基和导电桥接随机存取存储器（CB-RAM）或自旋转移力矩MRAM（STT）-MRAM的电阻存储器、基于自旋电子磁结存储器的装置、基于磁性隧道结（MTJ）的装置、基于DW（畴壁）和SOT（自旋轨道转移）的装置、基于晶闸管（thiristor）的存储器装置或任何上述项的组合或其它存储器。存储器装置可指管芯本身和/或封装的存储器产品。在具体实施例中，带有非易失性存储器的存储器组件可符合由联合电子装置工程委员会（JEDEC）颁布的一个或多个标准，诸如JESD218、JESD219、JESD220-1、JESD223B、JESD223-1或其它适合标准（本文中引用的JEDEC标准在jedec.org可获得）。

易失性存储器可以是要求功率来保持由介质存储的数据的状态的存储介质。易失性存储器的非限制性示例可包括各种类型的RAM，诸如动态随机存取存储器（DRAM）或静态随机存取存储器（SRAM）。在存储器模块中可使用的一个具体类型的DRAM是同步动态随机存取存储器（SDRAM）。在具体实施例中，存储器组件的DRAM可符合由JEDEC颁布的标准，诸如用于DDR SDRAM的JESD79F、用于DDR2 SDRAM的JESD79-2F、用于DDR3 SDRAM的JESD79-3F、用于DDR4 SDRAM的JESD79-4A、用于低功率DDR（LPDDR)的JESD209、用于LPDDR2的JESD209-2、用于LPDDR3的JESD209-3、以及用于LPDDR4的JESD209-4（这些标准在www.jedec.org可获得）。此类标准（和类似标准）可被称为基于DDR的标准，并且实现此类标准的存储装置的通信接口可被称为基于DDR的接口。