[发明专利]蚀刻剂和通过利用该蚀刻剂制造显示装置的方法

说明书

提供一种蚀刻剂和通过利用该蚀刻剂制造显示装置的方法，所述蚀刻剂包括：基于蚀刻剂的总重量，大约1wt％至大约15wt％的硫化过氧化物、大约5wt％至大约10wt％的硝酸、大约20wt％至大约40wt％的有机酸、大约0.05wt％至大约5wt％的硝酸铁、大约0.1wt％至大约5wt％的离子螯合剂以及大约0.1wt％至大约5wt％的缓蚀剂，其中，余量是去离子水。

本申请要求于2017年11月21日在韩国知识产权局提交的第10-2017-0155816号韩国专利申请的优先权和权益，所述韩国专利申请的全部内容通过引用包含于此。

技术领域

一个或更多个实施例涉及一种蚀刻剂和通过利用该蚀刻剂制造显示装置的方法。

背景技术

随着已经开发了用于在视觉上表达各种电信号信息的显示器，正在研究和开发具有诸如薄、轻质和低功耗的优异特性的各种平板显示装置。另外，有机发光显示装置由于其诸如视角宽、响应速度快以及其轻质和薄的特点，已经作为下一代显示装置而受到关注。

同时，随着显示装置的显示区域变得越来越大，包括在显示装置中的各种布线和电极必须由具有尽可能最低比电阻的材料形成。为此，包括在显示装置中的各种布线和电极可包括银。然而，包括银的布线或电极与位于布线或电极之上或之下的层或膜的结合强度会弱，因此，为了弥补这个问题，布线或电极可包括其中包括银的膜和另一导电膜堆叠的多层膜。

可使用诸如包括蚀刻工艺的光刻工艺的图案化工艺来形成显示装置中包括的各种布线和电极。在这种情况下，当布线或电极包括其中具有不同性质的膜堆叠的多层膜时，在通过使用同时蚀刻工艺来形成具有期望的特性的布线或电极时存在限制。另外，由于用于蚀刻布线的其它蚀刻剂包括磷酸，因此在蚀刻工艺期间由于磷酸而会发生对显示装置中的其它布线的损坏。此外，通过上述工艺，银离子会被还原并沉淀，因此，由于银颗粒，在布线或电极中会发生缺陷。为防止(或减少)银颗粒的产生，可顺序地蚀刻包括在多层膜中的包括银的膜和另一导电膜。然而，在这种情况下，制造工艺的效率显著下降。

发明内容

一个或更多个实施例包括蚀刻剂，该蚀刻剂不包括磷酸并能够被用于同时(例如，并发地)蚀刻包括银膜的多层膜。

一个或更多个实施例包括通过利用该蚀刻剂制造显示装置的方法。

实施例的另外的方面将在下面的描述中被部分地阐述，并且部分地，将通过描述而清楚，或者可以通过给出的实施例的实践而了解。

根据一个或更多个实施例，蚀刻剂包括：基于蚀刻剂的总重量，大约1wt％至大约15wt％的硫化过氧化物；大约5wt％至大约10wt％的硝酸；大约20wt％至大约40wt％的有机酸；大约0.05wt％至大约5wt％的硝酸铁；大约0.1wt％至大约5wt％的离子螯合剂；以及大约0.1wt％至大约5wt％的缓蚀剂，其中，余量是去离子水。

硫化过氧化物可包括过硫酸铵、过硫酸钠、过硫酸钾和过硫酸氢钾制剂中的至少一种。

有机酸可包括乙酸、柠檬酸、酒石酸、苹果酸、葡糖酸、乙醇酸和甲酸中的至少一种。

离子螯合剂可包括亚氨基二乙酸、青霉胺、氨三乙酸、乙二胺四乙酸、N-(2-羟乙基)乙二胺三乙酸、乙二醇-双(β-氨基乙基醚)-N,N,N',N'-四乙酸、二亚乙基三胺五乙酸、1,2-双(邻氨基苯氧基)乙烷-N,N,N',N'-四乙酸和二巯基丁二酸中的至少一种。

缓蚀剂可包括咪唑、吡唑、苯并三唑、氨基四唑、甲基四唑、草酸和草酸盐中的至少一种。

草酸盐可以是草酸钠、草酸钾或草酸铵。

蚀刻剂可同时(例如，并发地)蚀刻银膜以及位于银膜上方和/或下方的导电膜。