[发明专利]蚀刻剂和通过利用该蚀刻剂制造显示装置的方法

权利要求书

1.一种蚀刻剂，所述蚀刻剂包括：

基于所述蚀刻剂的总重量，

1wt％至15wt％的硫化过氧化物；

5wt％至10wt％的硝酸；

20wt％至40wt％的有机酸；

0.05wt％至5wt％的硝酸铁；

0.1wt％至5wt％的离子螯合剂；以及

0.1wt％至5wt％的缓蚀剂，

其中，余量是去离子水，

其中，所述有机酸是乙酸，

其中，所述离子螯合剂是亚氨基二乙酸，

其中，所述缓蚀剂是草酸盐，

其中，所述硫化过氧化物是过硫酸铵、过硫酸钠、过硫酸钾和过硫酸氢钾制剂中的至少一种。

2.根据权利要求1所述的蚀刻剂，其中，所述草酸盐是草酸钠、草酸钾或草酸铵。

3.根据权利要求1所述的蚀刻剂，其中，所述蚀刻剂同时蚀刻银膜以及位于所述银膜上方和/或下方的导电膜。

4.一种制造显示装置的方法，所述方法包括：

在基底上形成薄膜晶体管；

形成覆盖所述薄膜晶体管的平坦化层；以及

在所述平坦化层上形成电结合到所述薄膜晶体管的第一电极，

其中，所述第一电极具有其中第一导电层、包括银的第二导电层以及第三导电层堆叠的结构，其中，所述第一导电层和所述第三导电层是透明或半透明的电极层，并且

其中，用蚀刻剂来蚀刻所述第一电极并使所述第一电极图案化，其中，所述蚀刻剂包括：

基于所述蚀刻剂的总重量，

1wt％至15wt％的硫化过氧化物；

5wt％至10wt％的硝酸；

20wt％至40wt％的有机酸；

0.05wt％至5wt％的硝酸铁；

0.1wt％至5wt％的离子螯合剂；以及

0.1wt％至5wt％的缓蚀剂，

其中，余量是去离子水，

其中，所述有机酸是乙酸，

其中，所述离子螯合剂是亚氨基二乙酸，

其中，所述缓蚀剂是草酸盐，

其中，所述硫化过氧化物是过硫酸铵、过硫酸钠、过硫酸钾和过硫酸氢钾制剂中的至少一种。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述草酸盐是草酸钠、草酸钾或草酸铵。

6.根据权利要求4所述的方法，其中，所述蚀刻剂同时蚀刻所述第一导电层、所述第二导电层和所述第三导电层。

7.根据权利要求4所述的方法，所述方法还包括：

通过去除所述平坦化层的一部分来形成划分区域，

其中，在所述划分区域中暴露用于将电信号施加到所述薄膜晶体管的多条布线，并且在所述多条布线被暴露的状态下通过所述蚀刻剂来蚀刻所述第一电极。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，以其中包括钛的第一层、包括铝的第二层和包括钛的第三层堆叠的结构形成所述多条布线。

9.根据权利要求7所述的方法，其中，所述薄膜晶体管包括有源层、栅电极、源电极和漏电极，

其中，所述多条布线包括与所述源电极和所述漏电极的材料相同的材料。

10.根据权利要求7所述的方法，所述方法还包括：

在所述第一电极上形成中间层和第二电极，以及

在所述第二电极上形成薄膜封装层，

其中，所述薄膜封装层包括有机膜和比所述有机膜宽的无机膜。

11.根据权利要求10所述的方法，其中，所述划分区域将所述平坦化层划分为中心部分和外侧部分，

其中，将所述无机膜形成为覆盖所述外侧部分。

12.根据权利要求4所述的方法，其中，所述第二导电层还包括合金元素，并且所述合金元素的原子半径等于或小于所述银的原子半径。