[发明专利]具有重叠图案的半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，包括：

半导体衬底，包括单元内区域及划片槽，所述划片槽界定所述单元内区域；

第一重叠图案，位于所述半导体衬底上；以及

第二重叠图案，邻近所述第一重叠图案，

其中所述第一重叠图案是衍射式重叠图案，且所述第二重叠图案是扫描电子显微镜重叠图案。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，虚设图案位于所述第一重叠图案周围，且所述第二重叠图案位于所述第一重叠图案与所述虚设图案之间。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，所述第二重叠图案环绕所述第一重叠图案。

4.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，所述第一重叠图案的边缘与所述虚设图案之间的最短距离为至少2微米，且所述第一重叠图案的所述边缘与所述第二重叠图案之间的最短距离为0.5微米到1.5微米。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第一重叠图案只包括在第一方向上延伸的第一线与空间图案。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第一重叠图案包括在第一方向上延伸的第一线与空间图案及在与所述第一方向垂直的第二方向上延伸的第二线与空间图案。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第二重叠图案包括第一子图案及第二子图案，所述第一子图案及所述第二子图案分别与位于所述单元内区域中的第一单元图案组及第二单元图案组对应，所述第一单元图案组与所述第二单元图案组位于相同水平高度处。

8.根据权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，

所述第二重叠图案还包括第三子图案，所述第三子图案与位于所述单元内区域中且位于相同水平高度处的所述第一单元图案组对应，且

所述第一子图案与所述第二子图案的排列的方向不同于所述第二子图案与所述第三子图案的排列的方向。

9.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第二重叠图案包括第一子图案及第四子图案，所述第一子图案及所述第四子图案分别与位于所述单元内区域中的第一单元图案组及第三单元图案组对应，所述第一单元图案组与所述第三单元图案组位于不同水平高度处。

10.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述第一重叠图案及所述第二重叠图案形成一个重叠图案组，且

所述重叠图案组位于所述划片槽中。

11.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述第一重叠图案及所述第二重叠图案形成一个重叠图案组，且

所述重叠图案组位于所述单元内区域中。

12.一种半导体装置，其特征在于，包括：

半导体衬底；

第一重叠图案，位于所述半导体衬底上，所述第一重叠图案包括各自在第一方向及与所述第一方向垂直的第二方向上延伸的线与空间图案；以及

第二重叠图案，位于所述半导体衬底上，所述第二重叠图案在环绕所述第一重叠图案的禁区内环绕所述第一重叠图案。

13.根据权利要求12所述的半导体装置，其特征在于，所述第二重叠图案依赖于用于制造所述半导体装置的光刻照明系统的取向。

14.根据权利要求13所述的半导体装置，其特征在于，所述第二重叠图案只包括在同一方向上延伸的线与空间图案。