[发明专利]蚀刻方法和使用该蚀刻方法的凹部图案的嵌入方法在审
申请号: | 201811381880.6 | 申请日: | 2018-11-20 |
公开(公告)号: | CN109817506A | 公开(公告)日: | 2019-05-28 |
发明(设计)人: | 梅原隆人;三浦纮树 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01J37/32 | 分类号: | H01J37/32;H01L21/67 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 蚀刻 凹部图案 基板 嵌入 室内 截面形状 蚀刻气体 蚀刻量 速率比 | ||
本发明提供一种蚀刻方法和使用该蚀刻方法的凹部图案的嵌入方法,能够控制形成于基板的表面的凹部图案的深度方向上的蚀刻量。所述蚀刻方法用于在处理室内将形成于基板的表面的凹部图案内的膜蚀刻成V字状的截面形状,该蚀刻方法包括以下工序:将所述处理室内的两个以上的参数设定为使所述基板的表面的蚀刻速率比所述凹部图案的内部的蚀刻速率高的条件;以及在所述条件下向所述基板的表面供给蚀刻气体。
技术领域
本发明涉及一种蚀刻方法和使用该蚀刻方法的凹部图案的嵌入方法。
背景技术
以往以来,已知一种基板处理方法,其包括如下的蚀刻工序:在设置在处理室内的旋转台上载置基板,一边使旋转台旋转一边向处理室内供给蚀刻气体,来对形成于基板的表面的膜进行蚀刻,在所述基板处理方法中,将处理室沿着旋转台的旋转方向划分为供给蚀刻气体的处理区域和不供给蚀刻气体而供给吹扫气体的吹扫区域,在使旋转台旋转一周时基板通过处理区域和吹扫区域各一次,通过改变旋转台的转速来控制对膜进行蚀刻的蚀刻速率或蚀刻后的膜的表面粗糙度(例如参照专利文献1)。
在所述基板处理方法中,通过改变转速来改变旋转台的表面的气体浓度,利用该方式控制蚀刻速率或蚀刻后的膜的表面粗糙度,得到了期望的膜质。
专利文献1:日本特开2016-51884号公报
发明内容
然而,虽然只需改变旋转台的转速就能够控制基板的表面的蚀刻气体的浓度,但是难以对凹部图案的深度方向上的蚀刻速率也进行控制。
因此,本发明的目的在于提供一种能够控制在基板的表面形成的凹部图案的深度方向上的蚀刻量的蚀刻方法和使用该蚀刻方法的凹部图案的嵌入方法。
为了达成上述目的,本发明的一个方式所涉及的蚀刻方法在处理室内将形成于基板的表面的凹部图案内的膜蚀刻成为V字状的截面形状,所述蚀刻方法包括以下工序:将所述处理室内的两个以上的参数设定为使所述基板的表面的蚀刻速率比所述凹部图案的内部的蚀刻速率高的条件;以及在所述条件下向所述基板的表面供给蚀刻气体。
根据本发明,能够控制凹部图案的深度方向上的蚀刻量。
附图说明
图1是能够实施本发明的实施方式所涉及的蚀刻方法和凹部图案的嵌入方法的基板处理装置的一例的截面图。
图2是能够实施本发明的实施方式所涉及的蚀刻方法和凹部图案的嵌入方法的基板处理装置的一例的立体图。
图3是能够实施本发明的实施方式所涉及的蚀刻方法和凹部图案的嵌入方法的基板处理装置的一例的概要俯视图。
图4是能够实施本发明的实施方式所涉及的蚀刻方法和凹部图案的嵌入方法的基板处理装置的气体喷嘴和喷嘴罩的结构图。
图5是能够实施本发明的实施方式所涉及的蚀刻方法和凹部图案的嵌入方法的基板处理装置的一例的局部截面图。
图6是能够实施本发明的实施方式所涉及的蚀刻方法和凹部图案的嵌入方法的基板处理装置的一例的其它局部截面图。
图7是表示包括本发明的实施方式所涉及的蚀刻方法的凹部图案嵌入方法的一系列的工序的图。
图8是表示以往的产生空隙的成膜方法的一例的图。
图9是表示为了求出与本实施方式所涉及的蚀刻方法相关的参数的有效性和有效的设定值而进行的蚀刻条件的表。
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