[发明专利]图像传感器及其制造方法以及成像装置

说明书

本公开涉及图像传感器及其制造方法以及成像装置。提供了一种图像传感器，包括：衬底；形成在所述衬底中的黑色像素区，所述黑色像素区包含黑色像素辐射感测元件；形成在所述衬底中的有源像素区；以及缓冲区，在所述衬底的横向方向上所述黑色像素区和所述有源像素区将所述缓冲区夹在中间，在所述缓冲区中形成有第一阻挡壁，所述第一阻挡壁至少部分地阻挡在所述衬底中经由所述缓冲区朝向所述黑色像素辐射感测元件传播的辐射。

技术领域

本公开涉及图像传感器及其制造方法以及成像装置。

背景技术

图像传感器可用于对辐射(例如，光辐射，包括但不限于可见光、红外线、紫外线、X射线等)进行感测，从而生成对应的电信号(例如，图像)。它被广泛地应用在数码相机、移动通信终端、安保设施和其他成像设备中。

在图像传感器(例如，CMOS图像传感器(CIS)产品)中，暗电流是不可避免的，并且是一个主要性能参数。为了准确地对辐射进行感测，在图像传感器中设置黑色像素辐射感测元件以测量暗电流的大小，以便尽可能去除暗电流对图像传感器的影响。然而，在现有技术中，黑色像素辐射感测元件会受到来自图像传感器的外部的杂散辐射的影响，从而对暗电流测量带来了干扰。此外，图像传感器中的有源像素辐射感测元件也会受到外部杂散辐射的影响。

因此，需要提出一种新的技术来解决上述现有技术中的一个或多个问题。

发明内容

根据本公开的一个方面，提供了一种图像传感器，包括：衬底；形成在所述衬底中的黑色像素区，所述黑色像素区包含黑色像素辐射感测元件；形成在所述衬底中的有源像素区；以及缓冲区，在所述衬底的横向方向上所述黑色像素区和所述有源像素区将所述缓冲区夹在中间，在所述缓冲区中形成有第一阻挡壁，所述第一阻挡壁至少部分地阻挡在所述衬底中经由所述缓冲区朝向所述黑色像素辐射感测元件传播的辐射。

根据本公开的另一方面，提供了一种用于制造图像传感器的方法，包括：提供衬底；在所述衬底中形成黑色像素区和有源像素区，在所述衬底的横向方向上在所述黑色像素区与所述有源像素区之间夹着缓冲区；在所述黑色像素区中形成黑色像素辐射感测元件；以及在所述缓冲区中形成第一阻挡壁，所述第一阻挡壁至少部分地阻挡在所述衬底中经由所述缓冲区朝向所述黑色像素辐射感测元件传播的辐射。

根据本公开的还一方面，提供了一种成像装置，包括：所述的图像传感器；和镜头，用于将外部辐射会聚并引导到所述图像传感器上。

通过以下参照附图对本公开的示例性实施例的详细描述，本公开的其它特征及其优点将会变得更为清楚。

附图说明

构成说明书的一部分的附图描述了本公开的实施例，并且连同说明书一起用于解释本公开的原理。

参照附图，根据下面的详细描述，可以更加清楚地理解本公开，其中：

图1是示出现有技术的图像传感器的像素区分布的示意图。

图2是示出现有技术的图像传感器的示意剖面图。

图3是示出现有技术的图像传感器的示意剖面图，其中示出了来自图像传感器的外部的辐射对黑色像素辐射感测元件的不利影响。

图4是示出现有技术的图像传感器的示意剖面图，其中示出了来自图像传感器的外部的辐射对有源像素辐射感测元件的不利影响。

图5是示出本公开的一些实施例的图像传感器的示意剖面图。

图6是示出本公开的一些实施例的图像传感器的示意剖面图。

图7是示出本公开的一些实施例的图像传感器的示意剖面图。

图8是示出本公开的一些实施例的图像传感器的示意剖面图。

图9是示出本公开的一些实施例的图像传感器的示意剖面图。