[发明专利]图像传感器及其制造方法以及成像装置

权利要求书

1.一种图像传感器，其特征在于包括：

衬底；

形成在所述衬底中的黑色像素区，所述黑色像素区包含黑色像素辐射感测元件；

形成在所述衬底中的有源像素区；以及

缓冲区，在所述衬底的横向方向上所述黑色像素区和所述有源像素区将所述缓冲区夹在中间，在所述缓冲区中形成有第一阻挡壁，所述第一阻挡壁至少部分地阻挡在所述衬底中经由所述缓冲区朝向所述黑色像素辐射感测元件传播的辐射。

2.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，还包括：

屏蔽区，位于所述黑色像素辐射感测元件的上方，所述屏蔽区至少部分地阻挡从所述黑色像素辐射感测元件的上方朝向所述黑色像素辐射感测元件传播的辐射。

3.根据权利要求2所述的图像传感器，其特征在于，

所述屏蔽区从所述黑色像素区延伸到所述缓冲区并占据所述缓冲区的至少一部分；以及

所述第一阻挡壁的一部分与所述屏蔽区接触。

4.根据权利要求2或3所述的图像传感器，其特征在于，

所述屏蔽区在横向方向上跨过整个所述黑色像素区和整个所述缓冲区。

5.根据权利要求4所述的图像传感器，其特征在于，

所述有源像素区包含有源像素辐射感测元件，

所述第一阻挡壁在所述缓冲区中紧邻所述有源像素区，以及

所述第一阻挡壁还至少部分地阻挡在所述衬底中经由所述缓冲区朝向所述有源像素辐射感测元件传播的辐射。

6.根据权利要求1至3以及5中的任一项所述的图像传感器，其特征在于，

所述第一阻挡壁在纵向方向上贯穿所述衬底。

7.根据权利要求3所述的图像传感器，其特征在于，

所述有源像素区包含有源像素辐射感测元件，以及

所述图像传感器还包括：

形成在所述缓冲区中的紧邻所述有源像素区的第二阻挡壁，所述第二阻挡壁至少部分地阻挡在所述衬底中经由所述缓冲区朝向所述有源像素辐射感测元件传播的辐射。

8.根据权利要求7所述的图像传感器，其特征在于，

所述第二阻挡壁在纵向方向上贯穿所述衬底。

9.根据权利要求7所述的图像传感器，其特征在于，

所述第一阻挡壁与所述黑色像素辐射感测元件之间的距离至少为1微米；以及

所述第二阻挡壁与所述有源像素辐射感测元件之间的距离至少为1微米。

10.根据权利要求7所述的图像传感器，其特征在于，

所述第一阻挡壁和所述第二阻挡壁的宽度为2至4微米。