[发明专利]导线结构及其制造方法、阵列基板和显示装置

说明书

本公开提供一种导线结构及其制造方法、阵列基板和显示装置。导线结构包括：第一导线和第二导线，其中第一导线的连接端与第二导线的连接端通过间隙间隔开，以便通过间隙释放在第一导线和第二导线上积累的电荷；电连接件，分别与第一导线的连接端与第二导线的连接端连接。本公开通过在电连接的第一导线和第二导线间设置间隙，通过间隙释放在第一导线和第二导线上积累的电荷。由此可有效避免因电荷释放而对器件造成的影响，有效提升产品良率。

技术领域

本公开涉及显示技术领域，特别涉及一种导线结构及其制造方法、阵列基板和显示装置。

背景技术

在TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶体管)器件的相关技术中，由于IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide，铟镓锌氧化物)具有较高的电子迁移率及较低的漏电流，因此利用IGZO制造的TFT能够满足更高性能和更大尺寸的驱动电路的需求。

发明内容

发明人通过研究发现，在基于IGZO的TFT的制造过程中，ESD(Electro-StaticDischarge，静电释放)发生率较高。同层相邻的金属走线间发生ESD，导致金属走线上的绝缘层被击穿。由此，相邻层之间的金属走线会发生短路。

本公开提出一种为ESD提供有效释放路径的方案。

根据本公开实施例的第一方面，提供一种导线结构，包括：第一导线和第二导线，其中所述第一导线的连接端与所述第二导线的连接端通过间隙间隔开，以便通过所述间隙释放在所述第一导线和所述第二导线上积累的电荷；电连接件，分别与所述第一导线的连接端与所述第二导线的连接端连接。

在一些实施例中，所述第一导线的延伸方向和所述第二导线的延伸方向重合。

在一些实施例中，所述间隙为5～10微米。

在一些实施例中，所述第一导线和所述第二导线的线宽为5～10微米。

在一些实施例中，所述第一导线和所述第二导线为栅极走线。

在一些实施例中，所述电连接件包括：第一连接部，与所述第一导线的连接端电连接；与所述第二导线的连接端连接；第二连接部，与所述第一导线的连接端电连接；第三连接部，与所述第一连接部和所述第二连接部电连接。

根据本公开实施例的第二方面，提供一种阵列基板，包括如上述任一实施例涉及的导线结构。

在一些实施例中，所述导线结构中的间隙位于显示区中。

根据本公开实施例的第三方面，提供一种显示装置，包括如上述任一实施例涉及的阵列基板。

根据本公开实施例的第四方面，提供一种导线结构的制造方法，包括：形成第一导线和第二导线，其中所述第一导线的连接端与所述第二导线的连接端通过间隙间隔开，以便通过所述间隙释放在所述第一导线和所述第二导线上积累的电荷；形成电连接件，其中所述电连接件分别与所述第一导线的连接端与所述第二导线的连接端连接。

在一些实施例中，所述第一导线的延伸方向和所述第二导线的延伸方向重合。

在一些实施例中，所述间隙为5～10微米。

在一些实施例中，所述第一导线和所述第二导线的线宽为5～10微米。

本公开通过在电连接的第一导线和第二导线间设置间隙，通过间隙释放在第一导线和第二导线上积累的电荷。由此可有效避免因静电释放而对器件造成的影响，有效提升产品良率。

通过以下参照附图对本公开的示例性实施例的详细描述，本公开的其它特征及其优点将会变得清楚。

附图说明

构成说明书的一部分的附图描述了本公开的实施例，并且连同说明书一起用于解释本公开的原理。