[发明专利]集成电路在审
申请号: | 201811352279.4 | 申请日: | 2018-11-14 |
公开(公告)号: | CN109786372A | 公开(公告)日: | 2019-05-21 |
发明(设计)人: | 张丰愿;杨国男;王中兴;鲁立忠;陈圣丰;黄博祥;比斯瓦思·希兰梅;陈胜雄;可汗·亚法特伯·阿朗 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H01L23/528 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国 |
地址: | 中国台湾新竹市*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 单元层 第一金属层 导电特征 导电通孔 集成电路 单元延伸 电路功能 接收电源 互连 配置 | ||
集成电路包括单元层、第一金属层、以及第一导电通孔。单元层包括第一单元和第二单元,这些单元中的每一者被配置为执行电路功能。第一金属层在单元层上方,并且包括第一导电特征部,该第一导电特征部从第一单元延伸至第二单元中并且被配置为接收电源电压。第一导电通孔将单元层与第一金属层互连。
技术领域
本揭露内容是关于一种集成电路。
背景技术
用于设计集成电路(例如,诸如特殊应用集成电路(application specificintegrated circuits;ASIC)的大规模集成电路)的计算机辅助的基于单元的设计已经开发出来。单元,诸如标准单元,被配置为执行逻辑电路功能,该逻辑电路功能已被预先设计并预先验证为集成电路的构建块。在标准单元设计中,库中的每个不同单元可以具有活动级、门级和金属级的几何形状。标准单元的实例包括反相器、与非门、或非门、正反器、以及其他逻辑门电路。
集成电路设计主要包括两个步骤:布局和布线。在布局步骤期间,确定单元的位置和取向。在布线步骤期间,添加互连或导电特征部以连接各单元的埠。
发明内容
本揭露内容的一实施方式包括一种集成电路,其特征在于,包括单元层、第一金属层以及第一导电通孔。单元层包括第一单元及第二单元,第一单元及第二单元中的每一者被配置为执行电路功能。第一金属层在单元层上方,并且包括第一导电特征部,第一导电特征部从第一单元延伸至第二单元中并且被配置为接收电源电压。第一导电通孔将单元层与第一金属层互连。
附图说明
当结合附图阅读时,从以下详细描述可以最好地理解本揭示案的各态样。值得注意的是,根据行业中的标准惯例,并未按比例绘制各个特征件。事实上,为了论述的清楚性,可以任意地增大或缩小各个特征件的尺寸。
图1是根据本揭示案的一些实施例的集成电路的示意性俯视图;
图2是根据本揭示案的一些实施例的沿图1中的线2-2截取的示意性剖视图;
图3是根据本揭示案的一些实施例的沿图1中的线3-3截取的示意性剖视图;
图4是根据本揭示案的一些实施例的集成电路的示意性剖视图;
图5是根据本揭示案的一些其他实施例的集成电路的示意性俯视图;
图6是图示根据本揭示案的一些实施例的被配置为产生集成电路布局的处理系统的方块图;并且
图7是根据本揭示案的一些实施例的产生集成电路布局的示例性方法。
具体实施方式
以下揭示内容提供了用于实施所提供标的的不同特征的许多不同实施例或实例。下文描述了部件和布置的特定实例以简化本揭示案。此等当然仅仅是实例,而并非意欲为限制性的。例如,在接下来的描述中在第二特征件上方或之上形成第一特征件可以包括其中第一和第二特征件形成为直接接触的实施例,并且亦可以包括其中可以在第一和第二特征件之间形成有额外特征件,使得第一和第二特征件可以不是直接接触的实施例。此外,本揭示案可以重复各种实例中的参考元件和/或字母。此重复是为了简单和清楚的目的,并且本身并不规定所论述的各种实施例和/或配置之间的关系。
此外,在本文中可以出于描述目的使用诸如“在……下方”、“在……下面”、“低于……”、“在……上方”、“在……上面”等之类的空间相对术语,从而描述一个元件或特征件与另一元件或特征件的关系,如图所示。空间相对术语意欲涵盖除了附图所绘示的取向之外,设备在使用或操作中的不同取向。该装置可以以其他方式取向(旋转90度或在其他取向上),并且本文中所使用的空间相对描述词同样可以相应被解释。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司,未经台湾积体电路制造股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201811352279.4/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的