[发明专利]一种反熔丝存储器自检测和自修复方法

说明书

本发明涉及一种反熔丝存储器自检测和自修复方法，所述反熔丝存储器设置冗余存储单元；编程器对当前地址写入数据，进行编程操作，并在编程结束后对编程的地址进行读操作，将读取的数据通过总线送至编程器；编程器将读取的数据发送给上位机，由上位机将读取的数据与写入的数据进行比较，并将比较结果发送给编程器，如果比较结果一致，则进行下一位地址的编程操作，如果比较结果不一致，则利用冗余存储单元替换产生该结果的地址单元。本发明使用冗余结构来提高存储器电路的可靠性，实现在同一芯片内部进行了自检测和自修复，提高了电路调节的灵活性，使电路的普适性提高，降低电路的维护及使用成本。

技术领域

本发明涉及自动控制及电子应用领域，具体地说是一种反熔丝存储器自检测和自修复方法。

背景技术

当前存储器正在越来越大，晶圆在生产过程中，由于工艺复杂，工艺步骤多(300步左右)，特别是存储器电路单元，无可避免的带来良品率损失问题，存储器容量越大，必然会有一定数量单元的损失，存储单元中一位地址的损坏，会造成整颗芯片的损失，降低了产品的成品率，存储器工艺上的良率损失无法避免，但从电路设计方法上，用冗余的存储单元替换掉损坏的地址单元，就可以挽救整颗芯片，因此存储器的修复技术成为存储器电路的关键技术。存储器的修复就是在存储器电路设计中增加冗余存储单元，一旦检测和定位出有缺陷的存储单元就将缺陷存储单元的地址映射到备用冗余存储单元的地址，检测出的故障单元地址将放弃不用，以避免舍弃整个芯片。由于存储器的内建自测试和自修复逻辑、冗余单元、重构逻辑和熔丝盒的面积仅占整体面积的5％或更少，所以在设计中加入对存储器内建自测试和内建自修复结构可以大大降低成本、提高成品率，并且对于存储器的应用领域也发挥了重大的作用。所以对存储器的内建自测试和内建自修复技术的研究具有重要的意义。

发明内容

针对现有技术的不足，本发明提供一种反熔丝存储器自检测和自修复方法，解决存储器电路的良率低的问题，提高成品率。

本发明为实现上述目的所采用的技术方案是：

一种反熔丝存储器自检测和自修复方法，所述反熔丝存储器设置冗余存储单元；该方法包括以下步骤：

步骤1：编程器对当前地址写入数据，进行编程操作，并在编程结束后对编程的地址进行读操作，将读取的数据通过总线送至编程器；

步骤2：编程器将读取的数据发送给上位机，由上位机将读取的数据与写入的数据进行比较，并将比较结果发送给编程器，如果比较结果一致，则进行下一位地址的编程操作，如果比较结果不一致，则利用冗余存储单元替换产生该结果的地址单元。

所述冗余存储单元与反熔丝存储器的比例为每64个byte单元增加1个byte的冗余单元。

所述在编程结束后对编程的地址进行读操作为：

在电路内部增加一个check信号，check信号在电路中进行读操作。

所述利用冗余存储单元替换产生该结果的地址单元为：

编程器产生一个INSTEAD信号给电路内部，电路内部识别此信号有效后，将对地址译码逻辑进行逻辑转换，将冗余单元地址替换为当前地址，并重新进行高压编程操作。

如果冗余单元出现校验后数据不一致的情况，则再次产生有效的INSTEAD信号，并更换冗余单元的地址。

所述编程器：

产生check信号给电路，并对电路进行读操作；

根据上位机的比较结果进行下一位地址的编程操作，或

产生INSTEAD信号给电路。

本发明具有以下有益效果及优点：