[发明专利]显示面板、薄膜晶体管器件及其制造方法

说明书

一种显示面板、薄膜晶体管器件及其制造方法，所述制造方法包括：于一透明基板的顶面上形成一金属膜层；图案化所述金属膜层，以形成一栅极图案层；通过形成一图案化纳米平坦层的方式以对所述栅极图案层进行平坦化处理；以及于所述透明基板的顶面上形成栅极绝缘层、半导体层、源/漏电极层、钝化层及像素电极层。

【技术领域】

本发明涉及显示领域，特别是涉及一种显示面板、薄膜晶体管器件及其制造方法。

【背景技术】

随着平面显示技术的发展，人们对平板尺寸、分辨率和画面刷新速率的追求越来越高，因此在面板制作工艺中采用铜取代铝作为导电金属材料。

随着大尺寸面板的发展，需要将导电金属膜层加厚才能满足面板响应速度的需求。然而，铜(Cu)膜层越厚，其晶粒就会越大，导致表面粗糙度增大。例如，厚度的铜膜层，其表面粗糙度(Sa)达到5nm，其中铜的晶粒峰高出平均膜面超过在表面粗糙度大的铜膜层的表面沉积薄膜晶体管器件的栅极绝缘层及半导体层时，栅极绝缘层及半导体层的表面形貌仍然会和铜膜层表面保持一致，故粗糙度也会较大，尤其是半导体层本身的厚度较薄，如果半导体层的表面粗糙度较大时，会导致薄膜晶体管器件的特性变差。

故，有必要提供一种显示面板、薄膜晶体管器件及其制造方法，以解决现有技术所存在的问题。

【发明内容】

有鉴于现有技术的缺点，本发明的主要目的在于提供一种显示面板、薄膜晶体管器件及其制造方法，可以降低膜层表面粗糙度，使沉积在其上方的半导体层的表面粗糙度也随之降低，提升了薄膜晶体管器件特性。

为达成本发明的前述目的，本发明提供一种薄膜晶体管器件的制造方法，其包括下列步骤：于一透明基板的顶面上形成一金属膜层；图案化所述金属膜层，以形成一栅极图案层；通过形成一图案化纳米平坦层的方式以对所述栅极图案层进行平坦化处理；以及于所述透明基板的顶面上形成栅极绝缘层、半导体层、源/漏电极层、钝化层及像素电极层。

在本发明的一实施例中，所述平坦化处理包括下列步骤：沉积一光阻层于所述透明基板的顶面上以覆盖所述栅极图案层；以所述栅极图案层为光罩，在所述透明基板的背面进行曝光处理；对所述光阻层进行显影处理，以移除所述光阻层位在所述栅极图案层上的部分；于所述透明基板的顶面上形成一纳米平坦层，以覆盖所述栅极图案层与所述光阻层；移除所述光阻层的剩余部分及其所述纳米平坦层位在所述光阻层上的部份，形成对应所述栅极图案层的图案化纳米平坦层。

在本发明的一实施例中，所述栅极图案层为一复合膜层，包括至少一阻挡层与一位于阻挡层上方的铜层。

在本发明的一实施例中，所述阻挡层为钼层、钼钛合金层、钛层或钼铌合金层。

在本发明的一实施例中，所述纳米平坦层是通过粒径小于10纳米的纳米填充材料均匀分散于有机溶剂中制得。

本发明还提供一种薄膜晶体管器件，其包括：一透明基板；一栅极图案层，形成于所述透明基板上；一图案化纳米平坦层，对应覆盖所述栅极图案层的表面，其中所述图案化纳米平坦层的图案对应所述栅极图案层；以及一栅极绝缘层、半导体层、源极电极层、漏极电极层、钝化层及像素电极层，依序形成于所述透明基板上。

在本发明的一实施例中，所述栅极图案层为一复合膜层，包括至少一阻挡层与一位于阻挡层上方的铜层。

在本发明的一实施例中，所述阻挡层为钼层、钼钛合金层、钛层或钼铌合金层。

在本发明的一实施例中，所述图案化纳米平坦层包含粒径小于10纳米的纳米填充材料。

本发明另提供一种显示面板，其包括多个如上所述的薄膜晶体管器件。

本发明主要是通过在栅极图案层上形成图案化纳米平坦层，藉此使得栅极电极层经过平坦化处理，故随后形成其上方的半导体层的粗糙度也会随之降低，提升了最后制成的薄膜晶体管器件特性。