[发明专利]显示面板、薄膜晶体管器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201811331703.7 | 申请日： | 2018-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN109637931B | 公开（公告）日： | 2020-11-10 |
| 发明（设计）人： | 胡小波 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/786;H01L29/423 |
| 代理公司： | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人： | 黄威 |
| 地址： | 518132 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 显示 面板 薄膜晶体管 器件 及其 制造 方法 | ||
1.一种薄膜晶体管器件的制造方法，其特征在于包括下列步骤：
于一透明基板的顶面上形成一金属膜层；
图案化所述金属膜层，以形成一栅极图案层；
通过形成一图案化纳米平坦层的方式以对所述栅极图案层进行平坦化处理；以及
于所述透明基板的顶面上形成栅极绝缘层、半导体层、源/漏电极层、钝化层及像素电极层；
所述平坦化处理包括下列步骤：
沉积一光阻层于所述透明基板的顶面上以覆盖所述栅极图案层；
以所述栅极图案层为光罩，在所述透明基板的背面进行曝光处理；
对所述光阻层进行显影处理，以移除所述光阻层位在所述栅极图案层上的部分；
于所述透明基板的顶面上形成一纳米平坦层，以覆盖所述栅极图案层与所述光阻层；
移除所述光阻层的剩余部分及其所述纳米平坦层位在所述光阻层上的部份，形成对应所述栅极图案层的图案化纳米平坦层；
其中所述光阻层的厚度是大于所述栅极图案层的厚度与所述纳米平坦层的厚度。
2.如权利要求1所述的薄膜晶体管器件的制造方法，其特征在于：所述栅极图案层为一复合膜层，包括至少一阻挡层与一位于阻挡层上方的铜层。
3.如权利要求2所述的薄膜晶体管器件的制造方法，其特征在于：所述阻挡层为钼层、钼钛合金层、钛层或钼铌合金层。
4.如权利要求1所述的薄膜晶体管器件的制造方法，其特征在于：所述纳米平坦层是通过粒径小于10纳米的纳米填充材料均匀分散于有机溶剂中制得。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
