[发明专利]基片处理方法和基片处理装置

说明书

本发明涉及基片处理方法和基片处理装置。实施方式的基片处理方法包括形成工序和干燥工序。形成工序中，在基片的表面形成有机溶剂的液膜。干燥工序中，在使形成有液膜的基片的周围的气体密度大于空气的气体密度的状态下，加热基片以使基片干燥。本发明能够抑制使基片干燥时的图案劣化。

技术领域

本发明的实施方式涉及基片处理方法和基片处理装置。

背景技术

一直以来，已知一种基片处理方法，其在基片的表面形成有IPA(异丙醇)的液膜的状态下，使基片旋转以甩掉基片的表面上的IPA，使基片干燥(例如参照专利文献1)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2007-227467号公报

发明内容

发明要解决的技术问题

然而，在通过上述的基片处理方法使基片干燥的情况下，可能会发生在干燥时形成于基片的图案劣化的情况。

实施方式的一个方式的目的在于，提供能够抑制使基片干燥时的图案劣化的基片处理方法和基片处理装置。

用于解决技术问题的技术手段

实施方式的一个方式的基片处理方法包括形成工序和干燥工序。形成工序中，在基片的表面形成有机溶剂的液膜。干燥工序中，在使形成有液膜的基片的周围的气体密度大于空气的气体密度的状态下，加热基片以使基片干燥。

发明效果

依照实施方式的一个方式，能够抑制图案劣化。

附图说明

图1是从上方观察实施方式的基片处理系统的示意性的截面图。

图2是从侧面观察实施方式的基片处理系统的示意性的截面图。

图3是表示液处理单元的构成例的图。

图4是表示干燥单元的构成例的图。

图5是将晶片的图案的一部分放大的示意图。

图6是表示气体密度和表面张力的关系的图。

图7是表示基片处理的顺序的流程图。

附图标记说明

1 基片处理系统(基片处理装置)

17 液处理单元(形成部)

18 干燥单元(干燥部)

19 供给单元。

具体实施方式

以下，参照附图，详细说明用于实施本申请的基片处理方法和基片处理装置(以下记为“实施方式”)。此外，本申请的基片处理方法和基片处理装置不限于该实施方式。

(1.基片处理系统1的构成)

首先，参照图1和图2，说明实施方式的基片处理系统1的构成。图1是从上方观察实施方式的基片处理系统1的示意性的截面图。并且，图2是从侧面观察实施方式的基片处理系统1的示意性的截面图。此外，下面为了明确位置关系，规定彼此正交的X轴、Y轴和Z轴，令Z轴正方向为铅垂朝上的方向。基片处理系统1构成基片处理装置。

如图1所示，基片处理系统1包括运入运出站2和处理站3。运入运出站2和处理站3相邻设置。

(运入运出站2)

运入运出站2包括载体载置部11和运送部12。载体载置部11载置以水平状态收纳有多个半导体晶片W(以下记为“晶片W”)的多个载体C。